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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利一种碳化硅功率器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120640741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511102336.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种碳化硅功率器件及其制备方法、芯片是由乔凯设计研发完成，并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅功率器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过在N型漂移区与顶端外延区之间设置有多个P型浮岛，可以增加对饱和电流的钳制作用，强化短路特性，同时P型浮岛的自耗尽作用有利于减小器件内第一电极层与栅极之间的电容，提升器件的开关特性，并且，可以在较浅的P型阱区和较深掺杂的电流扩展区的情况下，有效平衡击穿电压和导通电阻的折衷关系，使器件在不影响击穿电压的前提下优化了导通电阻，满足了高功率应用对器件性能的要求。

本发明授权一种碳化硅功率器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率器件，其特征在于，所述碳化硅功率器件包括：碳化硅衬底、第一电极层、N型漂移区、P型浮岛、顶端外延区、电流扩展区、N型重掺杂区、P型阱区、P型重掺杂区、栅极介质层、栅极层以及第二电极层； 所述第一电极层位于所述碳化硅衬底的背面，所述N型漂移区位于所述碳化硅衬底的正面，所述N型漂移区与所述顶端外延区之间设置有多个P型浮岛； 所述电流扩展区、P型阱区以及所述P型重掺杂区位于所述顶端外延区上，且所述电流扩展区的两侧均设置有所述P型重掺杂区和P型阱区，所述P型阱区位于所述P型重掺杂区与所述电流扩展区之间，所述电流扩展区的深度大于所述P型阱区的深度，所述P型阱区的掺杂浓度小于所述P型重掺杂区的掺杂浓度，所述电流扩展区的掺杂浓度大于所述顶端外延区的掺杂浓度；所述N型漂移区与所述顶端外延区之间的多个所述P型浮岛在横截面上呈阵列设置，所述P型浮岛位于所述N型漂移区与所述顶端外延区的交界位置，所述N型漂移区在交界位置具有多个凹槽用于设置所述P型浮岛，并且，一部分所述P型浮岛与所述P型重掺杂区相对设置，一部分所述P型浮岛与所述P型阱区相对设置，一部分所述P型浮岛与所述电流扩展区相对设置；所述P型浮岛的宽度等于或者大于所述电流扩展区的宽度； 所述N型重掺杂区形成于所述P型阱区的水平部上，所述栅极介质层位于所述N型重掺杂区、P型阱区、电流扩展区上，且所述栅极介质层包裹所述栅极层，所述第二电极层覆盖于所述栅极介质层上且与所述N型重掺杂区、所述P型重掺杂区接触。

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