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龙图腾网获悉润新微电子(大连)有限公司申请的专利一种含浮空场板的功率开关器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120676671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511170940.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种含浮空场板的功率开关器件是由任永硕;王荣华;梁辉南设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含浮空场板的功率开关器件在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种含浮空场板的功率开关器件，包括浮空场板、第二场板、浮空场板竖直延伸区及第二场板竖直延伸区，浮空场板位于第二介电层中，第二场板位于第三介电层中，浮空场板位于第二场板远离漏电极的一侧，浮空场板与第二场板在水平面上的正投影部分重叠，浮空场板竖直延伸区与第二场板竖直延伸区及第二场板在竖直面上的正投影部分重叠，浮空场板竖直延伸区与第二场板竖直延伸区之间具有间距；第二场板竖直延伸区与栅极结构间设置有第一连接结构，或，第二场板竖直延伸区与源电极间设置有第二连接结构。本发明的功率开关器件，浮空场板可在器件关断承受高压时产生额外的电场梯度，有利于增加器件高压下的可靠性。

本发明授权一种含浮空场板的功率开关器件在权利要求书中公布了：1.一种含浮空场板的功率开关器件，包括由下至上依次设置的衬底、叠层结构、第一介电层、第二介电层以及第三介电层，所述叠层结构远离衬底一侧设置有源电极、漏电极和栅极结构，叠层结构中具有二维电子气，所述栅极结构包括栅电极和第一场板，其特征在于，所述功率开关器件还包括浮空场板、第二场板、位于浮空场板上方的浮空场板竖直延伸区以及位于第二场板上方的第二场板竖直延伸区，所述浮空场板位于第二介电层中，所述第二场板位于第三介电层中，所述浮空场板位于第二场板远离漏电极的一侧，所述浮空场板竖直延伸区的顶部及第二场板竖直延伸区的顶部均穿过第三介电层的顶部，所述浮空场板与第二场板在水平面上的正投影部分重叠，所述浮空场板竖直延伸区与第二场板竖直延伸区及第二场板在竖直面上的正投影部分重叠，所述浮空场板竖直延伸区与第二场板竖直延伸区之间具有间距； 所述第二场板竖直延伸区与栅极结构之间设置有第一连接结构以用于使得第二场板与栅电极连接，或，所述第二场板竖直延伸区与源电极之间设置有第二连接结构以用于使得第二场板与源电极连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人润新微电子(大连)有限公司，其通讯地址为：116085 辽宁省大连市高新技术产业园区七贤岭信达街57号工业设计产业园7号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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