原集微科技(上海)有限公司包文中获国家专利权
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龙图腾网获悉原集微科技(上海)有限公司申请的专利基于活性气氛退火的二维半导体器件性能调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120711765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511196381.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权基于活性气氛退火的二维半导体器件性能调控方法是由包文中设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于活性气氛退火的二维半导体器件性能调控方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于活性气氛退火的二维半导体器件性能调控方法，包括：S1：提供二维半导体器件，所述二维半导体器件包括衬底，位于所述二维半导体器件的有源区内的衬底上形成有二硫化钼层、所述二硫化钼层上形成有源极金属和漏极金属，所述二维半导体器件还包括介质层，所述介质层覆盖所述源极金属、漏极金属以及所述二硫化钼层，所述介质层上形成有顶栅电极；S2：在120~180℃下，对所述二维半导体器件进行活性气氛退火工艺，以调节所述二维半导体器件的阈值电压。本申请通过上述方案，能够无损调控具有顶栅的二维半导体器件的阈值电压。
本发明授权基于活性气氛退火的二维半导体器件性能调控方法在权利要求书中公布了：1.一种基于活性气氛退火的二维半导体器件性能调控方法，其特征在于，包括： S1：提供二维半导体器件，所述二维半导体器件包括衬底，位于所述二维半导体器件的有源区内的衬底上形成有二硫化钼层、所述二硫化钼层上形成有源极金属和漏极金属，所述二维半导体器件还包括介质层，所述介质层覆盖所述源极金属、漏极金属以及所述二硫化钼层，所述介质层上形成有顶栅电极； S2：在120~180℃下，对所述二维半导体器件进行活性气氛退火工艺，以调节所述介质层的氧空位浓度，并调节所述二维半导体器件的阈值电压； 其中，在所述活性气氛退火工艺过程中，使用还原性气氛或者氧化性气氛进行退火工艺。
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