北京脑科学与类脑研究所;北京芯智达神经技术有限公司罗敏敏获国家专利权
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龙图腾网获悉北京脑科学与类脑研究所;北京芯智达神经技术有限公司申请的专利微丝电极结构、其制备方法及其植入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120713531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511256657.9，技术领域涉及：A61B5/294；该发明授权微丝电极结构、其制备方法及其植入方法是由罗敏敏;张垒;祖凯旋;蒋安琪;谢珏设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本微丝电极结构、其制备方法及其植入方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种微丝电极结构、其制备方法及其植入方法。其中，微丝电极结构包括：衬底，具有微丝区域和焊接区域；多层电极丝层，每层电极丝层包括位于微丝区域上的多根微丝结构和限位结构，每根微丝结构的一侧表面具有电极位点，任意相邻的电极丝层在焊接区域上连接并在微丝区域上相对独立，限位结构固定在微丝结构的一侧表面上；焊盘，位于焊接区域上并与电极位点一一对应进行电气连接。上述微丝电极结构解决了相关技术中平面微丝电极结构中的微丝结构在植入过程中存在的折叠断裂风险以及晶圆面积有效利用率低下的问题。
本发明授权微丝电极结构、其制备方法及其植入方法在权利要求书中公布了：1.一种微丝电极结构，其特征在于，包括： 衬底，具有微丝区域和焊接区域； 多层电极丝层，每层所述电极丝层包括位于所述微丝区域上的多根微丝结构和限位结构，每根所述微丝结构的一侧表面具有电极位点，任意相邻的所述电极丝层在所述焊接区域上连接并在所述微丝区域上相对独立，所述限位结构固定在所述微丝结构的一侧表面上，用于在植入一层所述微丝结构时，支持其他层的所述微丝结构，以将其翻转到一侧； 焊盘，位于所述焊接区域上并与所述电极位点一一对应进行电气连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京脑科学与类脑研究所;北京芯智达神经技术有限公司，其通讯地址为：102200 北京市昌平区生命园路20号院6号楼0509室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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