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龙图腾网获悉上海航天设备制造总厂有限公司申请的专利热变形抑制异质材料异构晶格结构一体化制造方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120715234B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511134650.X，技术领域涉及：B22F10/80；该发明授权热变形抑制异质材料异构晶格结构一体化制造方法及系统是由赵凯;陆秋阳;陈霖设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本热变形抑制异质材料异构晶格结构一体化制造方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种热变形抑制异质材料异构晶格结构一体化制造方法及系统，包括：步骤S1：根据目标性能需求预定义填充晶胞参数，依照晶胞尺寸对结构整体结构进行分层处理；步骤S2：分别采用两种晶格对结构进行填充并仿真，获取两种晶格在各层的热膨胀变形量；步骤S3：根据仿真结果确定结构各层的晶格类型及空间分布，完成晶格填充排布；步骤S4：对填充结构进行仿真验证，当满足预设性能指标时，输出适用于增材制造的数字模型；步骤S5：对最终模型进行切片处理，规划相应的工艺参数并执行增材打印。实现了结构在热载荷下的变形抵消效果、增材制造结构件的零膨胀设计，打破了传统单一材料或单一晶格结构在热膨胀抑制方面的局限性。

本发明授权热变形抑制异质材料异构晶格结构一体化制造方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种热变形抑制异质材料异构晶格结构一体化制造方法，其特征在于，包括： 步骤S1：根据目标性能需求预定义填充晶胞参数，依照晶胞尺寸对结构整体结构进行分层处理； 步骤S2：分别采用两种晶格对结构进行填充并仿真，获取两种晶格在各层的热膨胀变形量； 步骤S3：根据仿真结果确定结构各层的晶格类型及空间分布，完成晶格填充排布； 步骤S4：对步骤S3获得的填充模型进行仿真验证，当满足预设性能指标时，输出适用于增材制造的数字模型； 步骤S5：对最终模型进行切片处理，规划相应的工艺参数并执行增材打印； 所述步骤S1中：根据结构件的目标性能需求，选取晶胞尺寸、相对密度参数，并依据晶胞尺寸在非热膨胀抑制方向上对结构进行虚拟分层；晶胞尺寸的选择需结合结构的几何特征、功能需求及制造工艺约束，确保结构的可制造性； 所述步骤S2中：分别选择低热膨胀系数材料的正膨胀晶格与高热膨胀系数材料的负膨胀晶格对结构进行填充；对两填充结构进行热力学仿真，获取各层在热载荷下的热膨胀变形量数据，其中，高热膨胀系数材料的热膨胀系数至少为低热膨胀系数材料的热膨胀系数的两倍； 所述步骤S3中：各层的晶格分布表现为负膨胀晶格集中分布于各层的中间区域，正膨胀晶格对称分布于各层的两侧边缘区域； 所述步骤S3中：根据所述步骤S2所得两种晶格的变形数据，确定结构各层中两种晶格的数量，计算列式如下： 其中，xi为第i层正膨胀晶格的数量；ni为第i层晶格的总数量；为正膨胀晶格填充时第i层的变形量；为负膨胀晶格填充时第i层的变形量。

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