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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730783B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511158164.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺，属于半导体领域。包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P阱层，单个所述MOS元胞的N漂移层中间处设有轻掺杂N层；可显著抑制短沟道效应，提升器件稳定性核心设计为侧对称P⁻层形成强耗尽区，直接抑制漏致势垒降低DIBL和阈值电压漂移；顶部P‑层、组合P‑层、矩形P‑层、长条P‑层等通过形成辅助耗尽区，进一步压缩沟道边缘电场畸变，协同强化对短沟道效应的抑制，解决超短沟道结构中因沟道长度缩短导致的性能退化问题，使器件在小尺寸下仍能保持稳定的电学特性。

本发明授权一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构及其制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种抗短沟道效应的超短沟道MOSFET结构，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极4和栅极5；所述半导体外延层包括N衬底层2、N漂移层3、P+层8、N阱层9和P阱层10，其特征在于：单个所述MOS元胞的N漂移层3中间处设有轻掺杂N层6； 单个所述MOS元胞的内部且位于N漂移层3的左右两侧设有侧对称P-层7,所述侧对称P-层7为梯形轮廓，所述侧对称P-层7的底端与所述N衬底层2接触，所述轻掺杂N层6的内部两侧通过离子注入形成有侧对称N+层11，所述侧对称N+层11为弧形，所述侧对称N+层11的底端与所述N衬底层2接触，所述轻掺杂N层6的内部两侧通过离子注入形成有顶部P-层12，所述顶部P-层12的顶端与所述栅极5接触，所述轻掺杂N层6的中间两侧通过离子注入形成有底部N+层13，所述底部N+层13与所述N衬底层2接触，所述轻掺杂N层6的中间区域通过离子注入形成有组合N+层14，所述组合N+层14的顶端与所述栅极5接触。

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