西安稀有金属材料研究院有限公司程飞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安稀有金属材料研究院有限公司申请的专利GaS粉末、GaS薄膜电极及制备方法、光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120736558B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511201999.0，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权GaS粉末、GaS薄膜电极及制备方法、光电探测器是由程飞;李阳;向举苗;赵敬;彭嘉鑫;尹娟娟;张苗;刘嫣然;史永宏设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本GaS粉末、GaS薄膜电极及制备方法、光电探测器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种GaS粉末、GaS薄膜电极及制备方法、光电探测器，涉及半导体材料技术领域。该GaS粉末的制备方法包括：将氯化胆碱与尿素混合，经搅拌和真空冷却除水处理后，得到第一中间产物；在保护气氛下，分多次向第一中间产物中加入GaCl3，以得到第二中间产物；分多次向第二中间产物中加入硫脲，以得到第三中间产物；向第三中间产物中加入NaBH4，以得到第四中间产物；对第四中间产物进行退火处理，在退火处理后，采用柠檬酸进行清洗，经离心处理后，得到GaS粉末。本公开可以提高GaS材料的结晶度。
本发明授权GaS粉末、GaS薄膜电极及制备方法、光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种GaS粉末的制备方法，其特征在于，包括： 将7~10g的氯化胆碱与10~15g的尿素混合，在80~90℃下搅拌30~60min，以得到熔盐产物，对所述熔盐产物进行真空冷却除水处理，以得到第一中间产物； 在保护气氛下，分多次向所述第一中间产物中加入总量为1~1.75g的GaCl3，以得到第二中间产物；其中，在得到所述第二中间产物的过程中，进行80~90℃且300~500rpm的搅拌处理； 分多次向所述第二中间产物中加入总量为1~2g的硫脲，以得到第三中间产物；其中，在得到第三中间产物的过程中，进行80~90℃的搅拌处理； 向所述第三中间产物中加入0.1~0.3g的NaBH4，以得到第四中间产物； 将所述第四中间产物置于180~300℃的真空管式炉中保温2~5h，升温速率为2~5℃min，以进行退火处理，在退火处理后，采用柠檬酸进行清洗，经离心处理后，得到GaS粉末。
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