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龙图腾网获悉武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种光子集成器件的制备方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120742484B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511276331.2，技术领域涉及：G02B6/13；该发明授权一种光子集成器件的制备方法及结构是由姚广峰;张鹏程设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光子集成器件的制备方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光子集成器件的制备方法及结构，其方法包括：将衬底依次划分为前调制器区、后调制器区、前光栅区、增益区和后光栅区，在增益区制作选区外延掩膜图形后生长第一有源层，经掩膜刻蚀等操作后在前调制器区生长第二有源层，经掩膜刻蚀操作后在光栅区生长第三有源层，最后进行光栅制作，并完成包层、电接触层、倒台浅脊波导结构、电隔离沟和电极的制作。本方法通过一次选区外延生长和一次对接生长实现多种材料集成，节省了材料生长次数，节约制造成本；增益区和后调制器区通过选区外延材料生长实现禁带宽度偏移，各区域光荧光波长差异设计，实现多波长调谐与高效调制，能够为宽波长可调谐激光器与双电吸收调制器的集成提供解决方案。

本发明授权一种光子集成器件的制备方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种光子集成器件的制备方法，其特征在于，包括： 对衬底进行表面布局，将衬底表面沿长度方向依次划分为前调制器区、后调制器区、前光栅区、增益区和后光栅区； 在衬底的增益区表面制作选区外延掩膜图形，所述选区外延掩膜图形为长度与增益区长度相同、具有预设间距和宽度的两条平行条形； 在衬底表面除选区外延掩膜图形之外的部分生长第一有源层，之后腐蚀去除选区外延掩膜图形，并在除前调制器区之外的区域制作第一对接掩膜图形，刻蚀去除第一对接掩膜图形之外的第一有源层；所述第一有源层由下至上依次包括第一下波导层、第一多量子阱层和第一上波导层； 在前调制器区表面生长第二有源层，之后腐蚀去除第一对接掩膜图形； 在前光栅区和后光栅区之外的区域制作第二对接掩膜图形，刻蚀去除前光栅区和后光栅区的第一有源层； 利用对接生长技术在前光栅区和后光栅区生长第三有源层，之后去除第二对接掩膜图形，在前光栅区和后光栅区制作取样光栅； 在器件整体的表面依次生长制作包层和电接触层，并在包层和电接触层上制作倒台浅脊波导结构； 在电接触层上刻蚀电隔离沟，以实现各区域之间的电隔离； 在各区域的电接触层上制作P面电极，衬底减薄后在衬底底部的整体表面制作N面电极，完成集成器件制作。

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