浙江大学陈正佳获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于SiC晶圆缺陷分布的电学参数预测方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511233846.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权基于SiC晶圆缺陷分布的电学参数预测方法和装置是由陈正佳;盛况;任娜;徐弘毅;韦丽明设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于SiC晶圆缺陷分布的电学参数预测方法和装置在说明书摘要公布了：本申请涉及基于SiC晶圆缺陷分布的电学参数预测方法和装置，包括：获取训练晶圆中每个测试结构的缺陷参数，通过训练晶圆流片后的电学测试获取测试结构电学参数；通过缺陷参数分布以及电学参数构建数据集，对初始晶圆缺陷预测模型进行训练，得到迭代优化的晶圆缺陷预测模型；获取待评估晶圆的实例缺陷参数以及设计版图，将实例缺陷参数以及设计版图输入晶圆缺陷预测模型，得到待评估晶圆中每个设计测试结构的电学参数，其中，该训练晶圆和待评估晶圆为SiC晶圆，解决传统技术中通过人工依靠经验对SiC晶圆的质量进行判断的准确率和整体效率较低的问题，能够晶圆制造前期筛选晶圆的等级，并基于评价指标给出该晶圆适合的制作的SiC器件。
本发明授权基于SiC晶圆缺陷分布的电学参数预测方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种基于SiC晶圆缺陷分布的电学参数预测方法，其特征在于，所述方法包括： 基于预设测试版图，获取训练晶圆中每个测试结构的缺陷参数； 对每个所述测试结构进行电性测试，得到每个测试结构的电学参数；所述测试结构为对所述晶圆基于所述预设测试版图进行流片得到； 通过每个测试结构的缺陷参数、预设测试版图以及每个测试结构的电学参数构建数据集，并对初始晶圆缺陷预测模型进行训练，得到迭代优化的晶圆缺陷预测模型； 获取待评估晶圆的实例缺陷参数以及设计版图，并将所述实例缺陷参数以及设计版图输入晶圆缺陷预测模型，得到待评估晶圆中每个设计测试结构的电学参数；所述训练晶圆和待评估晶圆为SiC晶圆。
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