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龙图腾网获悉武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种可调谐激光器的制备方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511276333.1，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权一种可调谐激光器的制备方法及结构是由姚广峰;赵子琪;赵自闯设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可调谐激光器的制备方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可调谐激光器的制备方法及结构，其方法包括：对衬底进行表面布局，依次划分前增益区、前相区、共用光栅区、后相区和后增益区；生长有源层，在增益区制作对接掩膜图形，刻蚀去掉共用光栅区和相区的有源层并对接生长无源层，去除掩膜并在共用光栅区制作光栅，生长包层和电接触层；制作倒台浅脊波导结构，刻蚀电隔离沟；在共用光栅区制作形成悬梁臂结构，并制作钛铂加热电阻、光栅电极和连地电极，完成P面电极和N面电极制备后得到可调谐激光器。本发明通过背靠背双激光器共享热调谐光栅，实现双端出光与波长同步控制，通过制作光栅脊波导的悬梁臂结构，降低波长调谐的能耗，为未来大规模使用可调谐光发射芯片提出了解决方案。

本发明授权一种可调谐激光器的制备方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种可调谐激光器的制备方法，其特征在于，包括： 对衬底进行表面布局，将衬底表面沿长度方向依次划分为前增益区、前相区、共用光栅区、后相区和后增益区；利用金属有机化学气相沉积设备在衬底表面生长有源层； 利用等离子化学气相沉积设备在衬底表面生长二氧化硅层，采用光刻和湿法腐蚀技术在前\后增益区制作对接掩膜图形； 利用反应离子刻蚀设备刻蚀去掉共用光栅区、前相区和后相区的有源层，对衬底进行清洗，腐蚀去除表面残留的有源层材料； 利用金属有机化学气相沉积设备在共用光栅区、前相区和后相区对接生长无源层；所述无源层的光荧光波长小于前\后增益区的光荧光波长； 去除所述对接掩膜图形，在共用光栅区制作光栅，并在激光器整体表面依次生长包层和电接触层； 在包层及电接触层上制作倒台浅脊波导结构； 在电接触层上刻蚀电隔离沟，实现各功能区域之间电隔离； 在共用光栅区的脊波导结构两侧利用反应离子刻蚀设备和氢溴酸腐蚀，使共用光栅区的脊波导结构形成悬梁臂结构；包括： 在共用光栅区的脊波导结构两侧的预设矩形条区域内，利用反应离子刻蚀设备刻蚀去除电接触层、包层和无源层； 利用氢溴酸进行腐蚀，使共用光栅区的脊波导形成悬梁臂结构；所述悬梁臂结构包括：悬梁臂的两侧为六边形空气槽，脊波导的下方为悬空臂； 在激光器的表面生长一层氮化硅薄膜，制作共用光栅区脊波导的钛铂加热电阻，以及光栅电极和连地电极； 在前\后相区、前\后增益区的电极接触层上制作P面电极，衬底减薄后在底部制作N面电极，完成可调谐激光器制作。

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