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龙图腾网获悉北京微厘光电技术有限公司申请的专利一种用于混合集成激光多普勒测速仪的薄膜铌酸锂芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120762045B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510988535.2，技术领域涉及：G01S17/58；该发明授权一种用于混合集成激光多普勒测速仪的薄膜铌酸锂芯片是由李彦强设计研发完成，并于2025-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于混合集成激光多普勒测速仪的薄膜铌酸锂芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及一种用于混合集成激光多普勒测速仪的薄膜铌酸锂芯片，芯片内部沿入射光路依次级联第一组模场适配器、2×1耦合器、起偏器、相位调制器和第二组模场适配器，其中第一组模场适配器包括模场适配器一和模场适配器二，所述模场适配器一和模场适配器二分别连接2×1耦合器的输入端以将信号光与指示光合束，所述2×1耦合器输出端连接起偏器输入端，所述起偏器用于滤除信号光中的TE0模式，并用杂散光吸收器吸收信号光中的TE0模式，所述起偏器输出端连接相位调制器输入端，所述相位调制器中级联有多组微环，所述相位调制器输出端连接第二组模场适配器，所述第二组模场适配器包括模场适配器三和模场适配器四并分别连接相位调制器的两个输出端，芯片内部还包括散射光回路，所述散射光回路包括级联的模场适配器五和垂直耦合器，所述垂直耦合器上表贴有Ⅲ‑Ⅴ族探测器。

本发明授权一种用于混合集成激光多普勒测速仪的薄膜铌酸锂芯片在权利要求书中公布了：1.一种用于混合集成激光多普勒测速仪的薄膜铌酸锂芯片，其特征在于：芯片内部沿入射光路依次级联第一组模场适配器、2×1耦合器、起偏器、相位调制器和第二组模场适配器，其中第一组模场适配器包括模场适配器一和模场适配器二，所述模场适配器一和模场适配器二分别连接2×1耦合器的输入端以将信号光与指示光合束，所述2×1耦合器输出端连接起偏器输入端，所述起偏器用于滤除信号光中的TE0模式，并用与起偏器连接的杂散光吸收器吸收信号光中的TE0模式，所述起偏器输出端连接相位调制器输入端，所述相位调制器中级联有多组微环，所述相位调制器输出端连接第二组模场适配器，所述第二组模场适配器包括模场适配器三和模场适配器四，所述模场适配器三和模场适配器四分别连接相位调制器的两个输出端，所述芯片内部还包括散射光回路，所述散射光回路包括级联的模场适配器五和垂直耦合器，所述垂直耦合器上表贴有Ⅲ-Ⅴ族探测器。

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