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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120769554B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511288146.5，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权半导体器件及其制备方法是由刘浩文;马万里;闫正坤;谭键文;肖帅;王爱玲设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：基底，包括层叠的衬底和外延层，外延层具有第一掺杂类型；分裂源区结构，位于外延层中，分裂源区结构为对部分外延层的一侧表面进行离子注入形成的区域，且分裂源区结构包括沿平行于基底表面的方向间隔的第一源区和第二源区；多个栅极结构，位于基底表面，同一分裂源区中的第一源区和第二源区分别与不同且相邻的栅极结构接触；肖特基金属层，位于第一表面区域上，第一表面区域为位于同一分裂源区结构中第一源区和第二源区之间的外延层的表面。本申请中解决了SiCMOSFET功率器件可靠性低以及开关损耗高的技术问题。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底，包括层叠的衬底和外延层，所述外延层具有第一掺杂类型； 分裂源区结构，位于所述外延层中，所述分裂源区结构为对部分所述外延层的一侧表面进行离子注入形成的区域，且所述分裂源区结构包括沿平行于所述基底表面的方向间隔的第一源区和第二源区； 多个栅极结构，位于所述基底表面，同一所述分裂源区中的所述第一源区和所述第二源区分别与不同且相邻的所述栅极结构接触； 肖特基金属层，位于第一表面区域上，所述第一表面区域为位于同一所述分裂源区结构中所述第一源区和所述第二源区之间的所述外延层的表面， 所述第一源区和所述第二源区均包括第一注入区和第二注入区，所述第一注入区为对部分所述外延层的一侧表面进行离子注入形成的区域，所述第二注入区为对部分所述第一注入区的一侧表面进行离子注入形成的区域，所述半导体器件还包括： 掺杂半导体层，位于至少一个所述栅极结构与所述肖特基金属层之间的所述外延层的表面，所述第一源区分别与所述掺杂半导体层和所述栅极结构接触； 第三注入区，位于所述掺杂半导体层与部分所述第二注入区之间，所述第三注入区为对所述第一源区中部分所述第二注入区的一侧表面进行离子注入形成的区域； 其中，所述第一注入区以及所述第二注入区中位于所述第三注入区与所述第一注入区之间的部分与所述栅极结构接触，所述掺杂半导体层和所述第二注入区具有所述第一掺杂类型，所述第一注入区和第三注入区具有第二掺杂类型。

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