合肥晶合集成电路股份有限公司文少林获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构、背照式图像传感器及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120769577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511232543.0，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权半导体结构、背照式图像传感器及制作方法是由文少林;杨军设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、背照式图像传感器及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构、背照式图像传感器及制作方法，属于半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底；光电二极管结构，多个所述光电二极管结构设置于所述衬底；第一隔离结构，设置于所述光电二极管结构之间；金属格栅，设置于所述第一隔离结构上；第二隔离结构，设置于所述金属格栅表面；所述第二隔离结构包括层叠的多个氧化层，靠近所述金属格栅的所述氧化层中的C含量高于远离所述金属格栅的所述氧化层中C含量。该背照式图像传感器可以避免金属格栅发生坍缩，从而确保背照式图像传感器的性能。
本发明授权半导体结构、背照式图像传感器及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 光电二极管结构，多个所述光电二极管结构设置于所述衬底； 第一隔离结构，设置于所述光电二极管结构之间； 金属格栅，设置于所述第一隔离结构上； 第二隔离结构，设置于所述金属格栅表面；所述第二隔离结构包括层叠的多个氧化层，靠近所述金属格栅的所述氧化层中的C含量高于远离所述金属格栅的所述氧化层中C含量；所述第二隔离结构中远离所述金属格栅的所述氧化层的表面具有隔离层； 所述隔离层的形成过程包括： 对最外层的氧化层进行第一表面处理，去除所述最外层的氧化层表面的C； 对最外层的氧化层进行第二表面处理，在所述最外层的氧化层表面形成隔离层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励