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龙图腾网获悉蓝河科技(绍兴)有限公司申请的专利半导体制造设备及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120776265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511277337.1，技术领域涉及：C23C16/18；该发明授权半导体制造设备及其控制方法是由王明辉设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体制造设备及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体制造设备及其控制方法，通过在腔室外设置围设于旋转装置的升降底板，在升降底板上设置若干升降机构，并采用测距装置获取升降底板与腔室底板之间的若干腔外间距，在外延工艺流程中，同步获取各腔外间距并根据各腔外间距判断是否需要进行基座水平调节，若是，根据各腔外间距确定需要进行升降控制的目标升降机构，以及对应的升降控制参数，升降控制参数包括目标补偿位移；并获取基座的当前转速并根据基座的当前转速在第二标定关系中获取目标升降机构运行的运行速率上限；再控制目标升降机构以获取到的运行速率上限运动对应的目标补偿位移。本发明能够对基座进行调平时，避免影响生产节拍和效率，以及影响基片上的成膜质量。

本发明授权半导体制造设备及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造设备的控制方法，其特征在于：所述半导体制造设备包括内设基座的腔室，动密封贯穿所述腔室并连接所述基座的旋转装置，在所述腔室外设于所述旋转装置的升降底板，设于所述升降底板和所述腔室的腔室底板的若干升降机构以带动所述基座升降；所述基座顶面所在平面与所述腔室的腔室基准面之间具有腔内间距，所述腔室基准面位于顶端开口，用于在开腔后，安装基座过程中作为调平基准使用； 所述控制方法包括： S0：获取所述基座在不同转速下的跳动阈值与所述升降机构的运行速率上限之间的第二标定关系； S1：将基片放置在所述基座上，控制所述旋转装置带动所述基座旋转，并在所述基片上进行外延生长工艺； 步骤S1执行所述外延生长工艺的过程中，还包括执行： S11：获取并根据所述升降底板与所述腔室底板之间的各腔外间距判定需要进行基座水平调节后，获取与各所述腔外间距对应的各腔内间距，并结合目标腔内间距确定需要进行升降控制的目标升降机构以及对应的升降控制参数； S12：获取并根据所述基座的当前转速在所述第二标定关系中匹配得到运行速率上限； S13：控制所述目标升降机构依据所述升降控制参数以匹配得到的运行速率上限运动。

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