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龙图腾网获悉武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种集成器件的制备方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120784720B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511276332.7，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种集成器件的制备方法及结构是由姚广峰;冯亮亮设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成器件的制备方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成器件的制备方法及结构，其方法包括：将衬底划分前调制器区、后调制器区、前光栅区、增益区和后光栅区；在增益区制作选区外延掩膜图形，在掩膜图形外的区域生长AlInGaAs有源层，调控量子阱光荧光波长，使调制器区的波长比增益区短；去除选区外延掩膜图形，利用量子阱混杂技术精确控制前调制器区的量子阱光荧光波长；利用无源材料对接技术光栅区生长InGaAsP无源层，并制作取样光栅；最后形成包层、电接触层及电极，实现电隔离。本方法解决了宽波长可调谐范围与电吸收调制器材料集成的难题，简化制造工艺，降低生产成本，为光通信和数据中心光互联提供一种新的光发射芯片的解决方案。

本发明授权一种集成器件的制备方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种集成器件的制备方法，其特征在于，包括： 对衬底进行表面布局，将衬底表面沿长度方向依次划分为前调制器区、后调制器区、前光栅区、增益区和后光栅区；在增益区表面制作选区外延掩膜图形，所述选区外延掩膜图形为长度与增益区长度相同、具有预设间距和宽度的两条平行条形； 在衬底表面除选区外延掩膜图形之外的部分生长AlInGaAs有源层，且所述AlInGaAs有源层中，前调制器区和后调制器区的量子阱光荧光波长比增益区的光荧光波长短； 腐蚀去除选区外延掩膜图形，在前调制器区之外的区域制作量子阱混杂掩膜图形； 在前调制器区利用离子注入设备进行磷离子注入，注入后进行快速热退火，使前调制器区的量子阱光荧光波长比增益区的光荧光波长短； 腐蚀去除量子阱混杂掩膜图形，并在前光栅区和后光栅区之外的区域制作对接掩膜图形； 刻蚀去除前光栅区和后光栅区的AlInGaAs有源层，利用对接生长技术在前光栅区和后光栅区生长InGaAsP无源层；所述InGaAsP无源层的带隙波长比增益区的光荧光波长小150-200nm； 去除对接掩膜图形，在前光栅区和后光栅区制作取样光栅； 在器件整体的表面依次生长制作包层和电接触层，并在包层和电接触层上制作倒台浅脊波导结构； 在电接触层上刻蚀电隔离沟，以实现各区域之间的电隔离； 在各区域的电接触层上制作P面电极，衬底减薄后在衬底底部的整体表面制作N面电极，完成集成器件制作。

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