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芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司郑英杰获国家专利权

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龙图腾网获悉芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司申请的专利一种碳化硅外延设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120797190B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511291827.7,技术领域涉及:C30B25/08;该发明授权一种碳化硅外延设备是由郑英杰;蒋家旺;赵鹏设计研发完成,并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

一种碳化硅外延设备在说明书摘要公布了:本申请公开一种碳化硅外延设备,其包括反应腔,反应腔具有壳体,其内具有同轴设置的第一石墨筒及第二石墨筒,第一石墨筒与第二石墨筒间隔设置且第二石墨筒采用孔径介于100‑1000nm多孔石墨材质;喷淋装置,其设置于壳体的一侧端,喷淋装置包括设置于第一石墨筒及第二石墨筒的一端进气环,该进气环连接至吹扫气体供给部;及驱动部件,其透过壳体的底板连接位于壳体内的旋转支撑部,旋转支撑部的远离所述驱动部件侧设置有晶圆承托盘。这样通过进气环供给吹扫气体,该吹扫气体在向底板侧流动的同时渗透至并穿过第二石墨筒,在其内壁的表面形成保护膜,避免沉积副反应颗粒,延长第二石墨筒的使用时间,提高外延生长的良率。

本发明授权一种碳化硅外延设备在权利要求书中公布了:1.一种碳化硅外延设备,其特征在于,包括: 反应腔,所述反应腔包括: 壳体,所述壳体内包括自外向内同轴设置的第一石墨筒及第二石墨筒,所述第一石墨筒与所述第二石墨筒间隔设置,所述第二石墨筒采用多孔介质,且所述多孔介质的孔径介于100-1000nm; 喷淋装置,其设置于所述壳体的一侧端,所述喷淋装置包括喷淋头及套设于所述喷淋头的进气环,且所述进气环设置于所述第一石墨筒及第二石墨筒的一侧端,用于向所述第一石墨筒与所述第二石墨筒间的间隔内通入吹扫气体,第一石墨筒与第二石墨筒间的间隙内的压力大于第二石墨筒内的压力;及 驱动部件,其设置于所述壳体的与所述喷淋装置相对的一侧端,所述驱动部件透过所述壳体的底板连接位于所述壳体内的旋转支撑部,所述旋转支撑部的远离所述驱动部件侧用于放置晶圆承托盘。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司,其通讯地址为:215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏慕路104号S栋;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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