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龙图腾网获悉蓝河科技(绍兴)有限公司申请的专利氧化镓的外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120797194B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511310061.2，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权氧化镓的外延生长方法是由黄小辉;林桂荣;刘润可;田吻设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化镓的外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化镓的外延生长方法，包括在反应腔室内设置氧电离装置，控制氧电离装置的输出功率不低于100瓦，以在氧化镓衬底上进行氧化镓生长。控制反应腔室内温度为不超过1000℃的第一温度，压力为不超过200mbar的第一压力，控制氧源流量不超过300mLmin，控制氧和镓的第一摩尔流量比不超过30，在氧化镓衬底上以不低于2μmh的生长速率生长第一氧化镓层；控制反应腔室内的温度下降，维持或降低氧源流量，降低镓源流量以控制氧和镓的第二摩尔流量比升高并不低于50，在第一氧化镓层上以不超过1μmh的生长速率生长第二氧化镓层；重复生长第一、第二氧化镓层，至生长形成的氧化镓层达到预定厚度，有利于得到电子迁移率高的高质量的氧化镓外延片。

本发明授权氧化镓的外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤： S0：提供反应腔室和氧电离装置，所述氧电离装置设置于所述反应腔室外的氧源注入路径上以使氧源经所述氧电离装置作用后进入所述反应腔室内，所述反应腔室为MOCVD反应腔室； S1：将氧化镓衬底置于所述反应腔室内，控制所述氧电离装置的输出功率不低于100瓦； S2：控制反应腔室内的温度为不超过1000℃的第一温度，压力为不超过200mbar的第一压力，向所述反应腔室内通入所述氧源和镓源，控制所述氧源流量不超过300mLmin，以及控制氧和镓的第一摩尔流量比不超过30，以在所述氧化镓衬底上以不低于2μmh的生长速率生长第一氧化镓层； S3：控制所述反应腔室内的温度下降为第二温度500℃~900℃，维持或降低所述氧源流量，以及降低所述镓源流量以控制氧和镓的第二摩尔流量比升高并不低于50，以及在所述第一氧化镓层上以不超过1μmh的生长速率生长第二氧化镓层； S4：重复循环执行步骤S2和步骤S3，直至生长形成的氧化镓层达到预定厚度； S5：控制反应腔室内的温度升高至不低于1000℃的第三温度，增加所述氧源和所述镓源的流量，以在步骤S4得到的氧化镓层上以不低于20μmh的生长速率生长第三氧化镓层。

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