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龙图腾网获悉蓝河科技(绍兴)有限公司申请的专利氧化镓的异质外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120797195B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511310068.4，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权氧化镓的异质外延生长方法是由黄小辉;林桂荣;刘润可;田吻设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化镓的异质外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化镓的异质外延生长方法，该氧化镓的异质外延生长方法包括在反应腔室内设置氧电离装置。控制反应腔室内的温度为不超过500℃的第一温度，压力为不低于100mbar的第一压力，向反应腔室内通入氧源和镓源，控制氧源流量不低于1200mLmin，以及控制氧和镓的第一摩尔流量比不低于1000。控制反应腔室内的温度升高至不超过800℃的第二温度，压力下降至不超过20mbar的第二压力，升高镓源流量以及降低氧源流量以控制氧和镓的第二摩尔流量比不超过100，以在第一氧化镓层上以不低于5μmh的生长速率生长第二氧化镓层，重复生长第一氧化镓层及第二氧化镓层，从而提高电子迁移率，获得生长质量良好的氧化镓外延片。

本发明授权氧化镓的异质外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓的异质外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤： S0：提供反应腔室和氧电离装置，所述氧电离装置设置于所述反应腔室外的氧源注入路径上以使氧源经所述氧电离装置作用后进入所述反应腔室内，所述反应腔室为MOCVD反应腔室； S1：将异质衬底置于所述反应腔室内，控制所述氧电离装置的输出功率不低于100瓦； S2：控制所述反应腔室内的温度为400℃~500℃的第一温度，压力为100mbar~500mbar的第一压力，向反应腔室内通入氧源和镓源，控制所述氧源流量介于1200mLmin~3000mLmin，以及控制氧和镓的第一摩尔流量比介于1000~2000，以在所述异质衬底上以不低于0.5μmh的生长速率生长第一氧化镓层； S3：控制所述反应腔室内的温度升高至600℃~800℃的第二温度，压力下降至10mbar~20mbar的第二压力，升高所述镓源流量以及降低所述氧源流量以控制氧和镓的第二摩尔流量比介于10~100，以在所述第一氧化镓层上以不低于5μmh的生长速率生长第二氧化镓层； S4：重复执行步骤S2至步骤S3，直至生长形成的氧化镓层达到预定厚度； S5：控制所述反应腔室内的温度升高至800℃~1000℃的第三温度，增加所述镓源的流量，控制反应腔室内的第三压力介于10mbar~20mbar，控制氧和镓的第三摩尔流量比介于10~20，以在步骤S4得到的氧化镓层上以不低于20μmh的生长速率生长第三氧化镓层。

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