西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学张洪瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种基于RRAM+FCM结构的非易失存储器的使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120808830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511306743.6，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权一种基于RRAM+FCM结构的非易失存储器的使用方法是由张洪瑞;杨秀;陈冰;刘艳;韩根全设计研发完成，并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于RRAM+FCM结构的非易失存储器的使用方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于RRAM+FCM结构的非易失存储器的使用方法，涉及新型非易失存储器技术领域，将FCM器件与RRAM器件进行串联，获得存储器器件；通过调节施加电压来调控RRAM器件的高低阻态和FCM器件的高低电容态；通过调节施加在存储器两极的电压进而调节存储器的工作延时，获得工作延时调节结果，本发明解决了传统铁电电容用于设计存储器器件开关比不够，易被外界信号干扰造成误判等缺点。同时，本发明能够实现多值储存，适用的环境条件更多，具有高速、低功耗、长保持时间等优势。
本发明授权一种基于RRAM+FCM结构的非易失存储器的使用方法在权利要求书中公布了：1.一种基于RRAM+FCM结构的非易失存储器的使用方法，其特征在于，所述方法包括： 将FCM器件与RRAM器件进行串联，获得存储器器件； 通过调节施加电压来调控RRAM器件的高低阻态和FCM器件的高低容态； 通过调节施加在存储器两极的电压进而调节存储器的工作延时，获得工作延时调节结果； 其中，通过调节施加在存储器两极的电压进而调节存储器的工作延时，获得工作延时调节结果，包括： 通过电压源提供静态工作点； 通过调节施加在存储器两极的电压进而调节存储器的工作延时； 延时的计算公式为： tdelay=-R*C*lnE-VE 其中，tdelay为存储器的延时，E为电阻与电容之间的电压，V为电容间要达到的电压，R为电阻，C为电容； 其中，所述RRAM器件包括RRAM底电极材料100、金属氧化物101和顶电极材料102； 其中，所述FCM器件包括pn结区001、铁电材料002，FCM底电极材料003、栅电极材料004，氧化层材料005； 通过RRAM底电极材料100和栅电极材料004共享成为存储器的栅电极。
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