上海盛剑科技股份有限公司张伟明获国家专利权
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龙图腾网获悉上海盛剑科技股份有限公司申请的专利柔性透明导电膜及其制备方法和应用、钙钛矿电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120809329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511277258.0,技术领域涉及:H01B5/14;该发明授权柔性透明导电膜及其制备方法和应用、钙钛矿电池是由张伟明;请求不公布姓名;巴前凯设计研发完成,并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本柔性透明导电膜及其制备方法和应用、钙钛矿电池在说明书摘要公布了:本发明公开了一种柔性透明导电膜及其制备方法和应用、钙钛矿电池,涉及透明导电膜技术领域。通过采用多层电极层的结构,且多层电极层中金属氧化物层的材料包括Ti、Nb、Zn、Sn、In、W和Al中至少三种金属的氧化物,通过上述多金属掺杂,能够赋予金属氧化物层良好的导电性和高透光率,同时解决了金属氧化物层脆性高的缺陷,金属氧化物层的柔性提高,保证其使用稳定性。此外,通过在金属层的Ag中掺杂Bi、Pd、Cu、Nd、In、Sn和Sb等金属,能够抑制Ag的三维生长趋势,使得金属层能够以较薄的厚度实现优良的导电性能,解决了金属层的导电性与透光性无法兼顾的问题。
本发明授权柔性透明导电膜及其制备方法和应用、钙钛矿电池在权利要求书中公布了:1.一种柔性透明导电膜,其特征在于,包括透明基底层和其表面的多层电极层;所述多层电极层包括金属氧化物层和金属层,且所述金属层位于相邻两层所述金属氧化物层之间; 所述金属氧化物层的材料包括第一金属氧化物和第二金属氧化物; 所述第一金属氧化物包括氧化铟锡、ZnO掺杂In2O3、WO3掺杂In2O3和Al2O3掺杂ZnO中的至少一种; 所述第二金属氧化物包括TiO2、SnO2、ZnO和Nb2O5中的至少两种; 所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物的摩尔比为65:35~90:10; 所述金属氧化物层的材料包括以下组合中的任一种: 1按摩尔百分数计,包括ZnO掺杂In2O3:65~75mol%、TiO2:10~15mol%以及Nb2O5:18~22mol%; 2按摩尔百分数计,包括WO3掺杂In2O3:65~75mol%、SnO2:10~15mol%以及ZnO:18~22mol%; 3按摩尔百分数计,包括Al2O3掺杂ZnO:65~75mol%、TiO2:10~15mol%以及Nb2O5:18~22mol%; 所述金属层的材料包括质量比为95:5~99.7:0.3的Ag和掺杂金属,所述掺杂金属包括Bi、Pd、Cu、Nd、In、Sn和Sb中的至少一种。
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