买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种基于SOI工艺的抗辐射低相位噪声压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120811290B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511303586.3，技术领域涉及：H03B5/12；该发明授权一种基于SOI工艺的抗辐射低相位噪声压控振荡器是由张洵颖;李臻;崔媛媛;张海金;赵晓冬设计研发完成，并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SOI工艺的抗辐射低相位噪声压控振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于SOI工艺的抗辐射低相位噪声压控振荡器，涉及振荡器技术领域，用于解决现有基于SOI工艺的压控振荡器无法同时实现低相位噪声与高抗辐射能力的技术问题；本发明的一种基于SOI工艺的抗辐射低相位噪声压控振荡器，包括储能单元和负跨导单元；储能单元通过电感和电容构成谐振腔；负跨导单元与储能单元连接；负跨导单元被设置为至少包含由多个晶体管组成的第一交叉耦合对和第二交叉耦合对；第一交叉耦合对用于产生负阻以补偿储能单元的损耗，第二交叉耦合对充当电流开关网络；第一交叉耦合对和第二交叉耦合对形成负阻特性，将直流能量转化为交流振荡能量，补偿谐振腔的损耗，产生的振荡信号从输出节点输出。

本发明授权一种基于SOI工艺的抗辐射低相位噪声压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种基于SOI工艺的抗辐射低相位噪声压控振荡器，其特征在于，包括： 储能单元，通过电感和电容构成谐振腔； 负跨导单元，与所述储能单元连接； 跨导倍增单元，包含第一电感和第二电感，所述第一电感的第一端和第二电感的第一端均连接所述负跨导单元；所述第一电感的第二端和第二电感的第二端均连接所述储能单元； 所述负跨导单元被设置为至少包含由多个晶体管组成的第一交叉耦合对和第二交叉耦合对；所述第一交叉耦合对用于产生负阻以补偿储能单元的损耗，所述第二交叉耦合对充当电流开关网络； 所述第一交叉耦合对和第二交叉耦合对形成负阻特性，将直流能量转化为交流振荡能量，补偿所述谐振腔的损耗，产生的振荡信号从输出节点输出； 其中：所述第一交叉耦合对包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管的栅极连接所述第二NMOS晶体管的漏极，所述第一NMOS晶体管的漏极连接所述第一电感的第一端，所述第一NMOS晶体管的源极连接所述第三NMOS晶体管的漏极；所述第二NMOS晶体管的栅极连接所述第一NMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管的漏极连接所述第二电感的第一端，所述第二NMOS晶体管的源极连接所述第四NMOS晶体管的漏极；所述第三NMOS晶体管的栅极连接所述第二NMOS晶体管的漏极；所述第四NMOS晶体管的栅极连接所述第一NMOS晶体管的漏极；所述第一交叉耦合对通过所述第三NMOS晶体管的源极和第四NMOS晶体管的源极与所述第二交叉耦合对连接； 所述第二交叉耦合对包括第五NMOS晶体管、第六NMOS晶体管、第七NMOS晶体管和第八NMOS晶体管； 所述第五NMOS晶体管的栅极连接所述第六NMOS晶体管的漏极，所述第五NMOS晶体管的漏极连接所述第三NMOS晶体管的源极，所述第五NMOS晶体管的源极连接所述第七NMOS晶体管的漏极；所述第六NMOS晶体管的栅极连接所述第五NMOS晶体管的漏极，所述第六NMOS晶体管的漏极连接所述第四NMOS晶体管的源极，所述第六NMOS晶体管的源极连接所述第八NMOS晶体管的漏极；所述第七NMOS晶体管的栅极连接所述第六NMOS晶体管的漏极，所述第七NMOS晶体管的源极接地；所述第八NMOS晶体管的栅极连接所述第五NMOS晶体管的漏极，所述第八NMOS晶体管的源极接地； 所述第一NMOS晶体管的体端连接所述第三NMOS晶体管、第五NMOS晶体管和第七NMOS晶体管的体端，且共同连接所述第四NMOS晶体管的源极和第六NMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管的体端连接所述第四NMOS晶体管、第六NMOS晶体管和第八NMOS晶体管的体端，且共同连接所述第三NMOS晶体管的源极和第五NMOS晶体管的漏极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西北工业大学，其通讯地址为：710072 陕西省西安市碑林区友谊西路127号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。