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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET结构及其制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813015B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511309178.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET结构及其制造工艺是由许一力;李鑫设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET结构及其制造工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET结构及其制造工艺，属于半导体技术领域；包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P阱层，单个所述MOS元胞的N漂移层中间处设有轻掺杂N层；本发明通过N漂移层两侧带V形缺口矩形状的侧对称P‑层，扩大与N衬底层的接触面积，构建横向电场约束，显著抑制短沟道效应，减少载流子在沟道边缘的散射，轻掺杂N层与梯形状重掺杂N层形成的纵向掺杂梯度，可缓和漏极与沟道间的电场集中，避免短沟道下的电场击穿风险。

本发明授权一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET结构及其制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET结构，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极2和栅极3；所述半导体外延层包括N衬底层4、N漂移层5、P+层6、N阱层7和P阱层8，其特征在于：单个所述MOS元胞的N漂移层5中间处设有轻掺杂N层9； 单个所述MOS元胞的内部且位于所述N漂移层5的左侧和右侧均设置有侧对称P-层10，两个所述侧对称P-层10的横截面轮廓均为带V形缺口的矩形状，两个所述侧对称P-层10的底端均与所述N衬底层4的上表面接触； 所述轻掺杂N层9的底端通过离子注入形成有重掺杂N层11，所述重掺杂N层11的横截面轮廓均为梯形状，所述重掺杂N层11的底端与所述N衬底层4的上表面接触； 所述轻掺杂N层9的内部通过离子注入形成有T形P-层12，所述T形P-层12的底端与所述重掺杂N层11的上表面接触； 所述重掺杂N层11的内部通过离子注入形成有矩形轻掺杂N层13，所述矩形轻掺杂N层13的顶端与所述T形P-层12的底端接触； 所述轻掺杂N层9的内部且位于所述T形P-层12的两侧通过离子注入形成有重掺杂N型半层14，所述重掺杂N型半层14的横截面轮廓均为梯形状，所述重掺杂N型半层14的相背侧均与所述N漂移层5接触。

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