苏州大学曹冰获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利Micro-LED器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511242186.6，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权Micro-LED器件是由曹冰;王紫薇;孙倜;许峰设计研发完成，并于2025-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本Micro-LED器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体领域，具体地说，是涉及一种Micro‑LED器件，其通过将台面结构的侧壁设置为与衬底之间夹角小于90°的倾斜侧壁，以便于介质膜沉积，进而在侧壁表面形成由不同材料组成的多层光学增透层，实现侧壁出光增透，最终提高Micro‑LED器件的量子效率，同时还可达到侧壁钝化的效果；同时，通过限定相邻两个光学增透层的折射率差值，并在其构成的光学干涉腔体内设置荧光转换层，使得该荧光转换层能够有效吸收来自Micro‑LED器件内部的光子，并将其重新发射为更易出射的方向性光，从而提高光提取效率。该结构不仅有助于调控发射光的角度分布与频谱结构，还能借助光学干涉腔体的共振增强效应提升荧光转换效率，实现更强的出光能量与更好的色彩一致性。
本发明授权Micro-LED器件在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED器件，其特征在于，包括：具有台面结构的Micro-LED器件本体和沉积在所述台面结构的侧壁上的介质膜，所述侧壁与所述Micro-LED器件本体的衬底之间的夹角小于90°，所述介质膜包括若干层堆叠的光学增透层；所述Micro-LED器件还包括形成在相邻两层所述光学增透层之间的荧光转换层，部分相邻两层所述光学增透层之间的折射率差值≥0.5，相邻两层所述光学增透层中的其中一层光学增透层的材料的折射率≥2.0，另一层光学增透层的材料的折射率≤1.5；相邻两层所述光学增透层构成光学干涉腔体，所述荧光转换层位于所述光学干涉腔体内，所述Micro-LED器件还包括形成在所述Micro-LED器件本体的顶部出光表面上的荧光层，所述荧光层的材料与荧光转换层的材料相同。
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