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龙图腾网获悉景德镇陶瓷大学申请的专利低电阻超稳定银纳米线基透明导电膜和发光器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824077B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511303983.0，技术领域涉及：H01B13/00；该发明授权低电阻超稳定银纳米线基透明导电膜和发光器的制备方法是由刘辉文;胡跃辉;孙志浩;陈义川;张念彪;夏景枝;曹岑设计研发完成，并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本低电阻超稳定银纳米线基透明导电膜和发光器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的低电阻超稳定银纳米线基透明导电膜和发光器的制备方法，首先在PET衬底表面溅射一层SnO2以改善其亲水性，用旋转涂覆法制备得到SnO2AgNWs透明导电薄膜，并使用从NaCl溶液中还原获得的银软焊接AgNWs网络中的线对线结，然后在NdF3溶液中水解得到的Nd2O3包裹AgNWs而得到AgNWs@Nd2O3透明导电薄膜；最后用PU进行封装制备得到低电阻和超稳定的SnO2AgNWs@Nd2O3PU透明导电薄膜。所制备的透明导电膜不仅表现出优异的光电性能，而且表现出显著的环境稳定性、抗弯曲性和防水性能。在环境空气中28天后和5.5毫米弯曲半径下分别表现出24%和4.8%的电阻变化率，即使涂覆水层后，在4V电压下仍能保持0.10A的电流。另外，通过PU封装，大幅度降低AgNWs透明导电薄膜的表面粗糙度，显著提高ACEL的发光性能。

本发明授权低电阻超稳定银纳米线基透明导电膜和发光器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低电阻超稳定银纳米线基透明导电膜的制备方法，其特征在于，包括： S1、在PET基材表面溅射SnO2层； S2、在SnO2层表面旋转涂布AgNWs液而形成SnO2AgNWs透明导电薄膜； S3、使用1.4至1.9摩尔每升的NaCl溶液将SnO2AgNWs透明导电薄膜浸泡后，清洗去表面多余的NaCl而得到改性低电阻SnO2AgNWs透明导电薄膜； S4、将改性低电阻SnO2AgNWs透明导电薄膜在0.8至1.2毫克每毫升的NdF3溶液中浸泡后，获得核-壳结构的SnO2AgNWs@Nd2O3透明导电薄膜； S5、在SnO2AgNWs@Nd2O3透明导电薄膜表面涂覆一层PU后干燥，获得SnO2AgNWs@Nd2O3PU透明导电薄膜。

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