合肥晶合集成电路股份有限公司石田浩获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120825977B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511316649.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由石田浩设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，制作方法包括：提供一衬底，其内设有阱区；在阱区上形成光刻胶图案并作为掩膜，向阱区内注入离子，形成以阱区为间隔的一对第一轻掺杂区；在一对第一轻掺杂区之间的衬底上形成栅极结构；以栅极结构为掩膜，向第一轻掺杂区内注入离子，形成以阱区为间隔的一对第二轻掺杂区，栅极结构在衬底表面的正投影与第二轻掺杂区部分重合；在栅极结构的侧壁形成侧墙结构；以侧墙结构和栅极结构为掩膜向第二轻掺杂区内注入离子，形成源极区域以及漏极区域。通过本发明提供的半导体器件及其制作方法，能够避免因轻掺杂偏移而导致的器件性能降低，减少栅诱导漏极泄漏电流，提高半导体器件性能。
本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，在衬底内形成有阱区； 在所述衬底上形成氧化膜，在所述氧化膜上形成光刻胶图案； 以光刻胶图案为掩膜，在所述光刻胶图案两侧的所述阱区进行倾斜离子注入，形成以所述阱区为间隔的一对第一轻掺杂区； 去除所述光刻胶图案，在所述氧化膜上形成多晶硅膜，通过光刻工序以及蚀刻工序，形成栅极结构和栅极氧化层；所述光刻工序采用的掩膜版和形成所述光刻胶图案的掩膜版相同； 以所述栅极结构为掩膜，在所述栅极结构两侧的所述衬底进行倾斜离子注入，形成以所述阱区为间隔一对第二轻掺杂区，所述栅极结构在所述衬底表面的正投影与所述第二轻掺杂区部分重合，具有设定的重合尺寸； 在所述栅极结构的侧壁形成侧墙结构； 以所述侧墙结构和所述栅极结构为掩膜，向所述侧墙结构和所述栅极结构外的所述衬底内注入离子，形成源极区域以及漏极区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励