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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种光学临近效应修正方法、掩膜版获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120831863B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511324842.7，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权一种光学临近效应修正方法、掩膜版是由王婷设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光学临近效应修正方法、掩膜版在说明书摘要公布了：一种光学临近效应修正方法、掩膜版，该方法包括：获取初始掩膜图形；将初始掩膜图形的边缘分割为多个片段，其中，初始掩膜图形至少包括第一边缘和第二边缘，第一边缘由多个第一切分点分割为多个第一片段，第二边缘由多个第二切分点分割为多个第二片段；分别对多个片段沿第二方向进行调整；判断第一切分点与第二切分点中是否存在满足预设条件的目标第一切分点和目标第二切分点，其中，预设条件为0＜d≤a，d为第一切分点与第二切分点之间沿第一方向的距离分量，a为预设阈值；若存在目标第一切分点和目标第二切分点，则沿第一方向调整其位置，以使其不再满足预设条件。本发明能够避免掩膜图形中切分点的间距小于最小曝光尺寸。

本发明授权一种光学临近效应修正方法、掩膜版在权利要求书中公布了：1.一种光学临近效应修正方法，其特征在于，所述方法包括： 获取初始掩膜图形，所述初始掩膜图形至少包括沿第一方向延伸的第一边缘和第二边缘，所述第一边缘和所述第二边缘沿第二方向相对设置； 将所述初始掩膜图形的边缘分割为多个片段，其中，通过多个第一切分点将所述第一边缘分割为多个第一片段，通过多个第二切分点将所述第二边缘分割为多个第二片段； 分别对所述多个片段沿所述第二方向进行调整，以抵消影响所述多个片段的光学临近效应，得到第一修正后掩膜图形； 基于掩膜版制造端提供的检查规则对所述第一修正后掩膜图形进行一类OPC检查； 若所述一类OPC检查通过，则对所述第一修正后掩膜图形进行二类OPC检查，所述二类OPC检查包括判断所述第一切分点与所述第二切分点中是否存在满足预设条件的目标第一切分点和目标第二切分点，其中，所述预设条件为0＜d≤a，d为所述第一切分点与所述第二切分点之间沿所述第一方向的距离分量，a为预设阈值； 若存在所述目标第一切分点和所述目标第二切分点，则沿所述第一方向调整所述目标第一切分点和或所述目标第二切分点的位置，以使其不再满足所述预设条件，得到第二修正后掩膜图形。

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