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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种双环减应力槽的高频低应力TSV结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120834108B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511334290.8，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权一种双环减应力槽的高频低应力TSV结构是由王欢鹏;何坤;汤悦;徐跃杭设计研发完成，并于2025-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双环减应力槽的高频低应力TSV结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双环减应力槽的高频低应力TSV结构，涉及射频互连与微电子封装可靠性技术领域。本发明结构在传统铜柱型TSV的基础上，于硅基体中围绕铜柱设置双层环形槽：上部环形槽填充柔性聚酰亚胺材料，位于接近焊盘的上部区域，用以缓释界面热应力；下部环形槽为空腔结构，设置于靠近接触层的下部区域，用以进一步释放应力集中并降低结构刚性。相较于传统的TSV结构，本发明不仅在0‑52GHz频段内具有更优的射频性能，同时显著降低了TSV界面区域的等效应力与应变水平，适用于要求电性能与热机械可靠性协同优化的高频三维集成封装应用。

本发明授权一种双环减应力槽的高频低应力TSV结构在权利要求书中公布了：1.一种双环减应力槽的高频低应力TSV结构，其特征在于，该TSV结构为立方体层状结构，包括四层，从下往上依次为第一聚酰亚胺层、铜层、硅层、第二聚酰亚胺层，TSV结构内设置两根S极金属铜柱、六根G极金属铜柱；两根S极金属铜柱位于TSV结构的竖直中间剖面上，每根S极金属铜柱结构相同，S极金属铜柱顶端连接S极顶端焊盘，底端连接S极底端焊盘，S极顶端焊盘位于第二聚酰亚胺层内，两根S极金属铜柱的S极顶端焊盘一个作为信号输入端、一个作为信号输出端；两根S极金属铜柱的S极底端焊盘通过铜微带线连接，两个S极底端焊盘与铜微带线都是通过铜层刻蚀而来，并不与铜层接触； 所述每根S极金属铜柱分为三段，顶段、中段、低段；每根S极金属铜柱的顶段外侧设置一圈顶段封闭槽腔，顶段封闭槽腔整体呈管状结构，封闭槽腔内填充聚酰亚胺；每根S极金属铜柱的的底段同样设置一圈底段封闭槽腔，底段封闭槽腔整体同样呈管状结构，底段封闭槽腔为空气腔；顶段封闭槽腔和底段封闭槽腔都位于硅层内； 所述六根G极金属铜柱中的三根位于两根S极金属铜柱所在平面的一侧，另外三根G极金属铜柱位于两根S极金属铜柱所在平面的另一侧；每根G极金属铜柱结构相同，G极金属铜柱顶端连接G极焊盘，底端连接铜层，G极焊盘位于第二聚酰亚胺层内。

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