合肥晶合集成电路股份有限公司高伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利闪存器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120835558B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511331588.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权闪存器件及其制备方法是由高伟;洪繁;谢荣源;吴美莹设计研发完成，并于2025-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种闪存器件及其制备方法，属于半导体领域，闪存器件的制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括有源区；在所述有源区上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成多条字线方向间隔排列且沿位线方向延伸的伪栅条；在相邻所述伪栅条之间填充隔离层；对伪栅条进行刻蚀减薄，形成浮栅条；蚀刻所述浮栅条，沿位线方向形成多个间隔排列的浮栅块；依次沉积极间介质层和栅极材料层；对栅极材料层进行平坦化并停留在隔离层顶部的栅极间介质层上，在浮栅块上方形成控制栅。本发明能够避免存储单元之间的漏电，且不会损伤有源区，从而提高闪存性能。
本发明授权闪存器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括有源区； 在所述有源区上形成隧穿氧化层； 在所述隧穿氧化层上形成多条字线方向间隔排列且沿位线方向延伸的伪栅条； 在相邻所述伪栅条之间填充隔离层； 对伪栅条进行刻蚀减薄，形成浮栅条； 蚀刻所述浮栅条，沿位线方向形成多个间隔排列的浮栅块； 依次沉积极间介质层和栅极材料层； 对栅极材料层进行平坦化并停留在隔离层顶部的栅极间介质层上，在浮栅块上方形成控制栅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励