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龙图腾网获悉沈阳星光新材料有限公司申请的专利一种半导体重结晶碳化硅制品及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120841961B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511374957.7，技术领域涉及：C04B35/569；该发明授权一种半导体重结晶碳化硅制品及其制备方法是由任云;刘长春;王立华;任江;任海;李晓勇设计研发完成，并于2025-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体重结晶碳化硅制品及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅陶瓷产品制备技术领域，提供了一种半导体重结晶碳化硅制品及其制备方法。本发明将含有碳化硅的制备原料和水混合，依次进行成型和烧结，得到所述半导体重结晶碳化硅制品。本发明在烧结的第六保温的过程中引入含卤素气体能够去除碳化硅制品中的Fe离子、Al离子、Ca离子，明显提升了重结晶碳化硅制品的纯度。实施例的数据表明，所得重结晶碳化硅制品的纯度≥4N。进一步地，控制第五升温的压力为102500~110000Pa、第六升温的压力为102500~110000Pa，降低了重结晶氮化硅制品的表面粗糙度，使得重结晶碳化硅制品的表面粗糙度为Ra10以下。

本发明授权一种半导体重结晶碳化硅制品及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体重结晶碳化硅制品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将含有碳化硅的制备原料和水混合，依次进行成型和烧结，得到所述半导体重结晶碳化硅制品； 所述烧结的过程为： 由室温以第一升温速率第一升温至第一温度，进行第一保温；所述第一温度为190~210℃； 由所述第一温度以第二升温速率第二升温至第二温度，进行第二保温，所述第二温度为840~860℃； 由所述第二温度以第三升温速率第三升温至第三温度，进行第三保温，所述第三温度为1090~1110℃； 由所述第三温度以第四升温速率第四升温至第四温度，进行第四保温，所述第四温度为1990~2010℃； 由所述第四温度以第五升温速率第五升温至第五温度，进行第五保温，所述第五温度为2340~2360℃； 由所述第五温度以第六升温速率第六升温至第六温度，进行第六保温，所述第六温度为2440~2460℃，所述第六保温的时间为1.5~2.5h； 所述第六保温的过程中，循环依次进行充气、保温保压和抽真空的过程； 所述充气的气体包括氩气和含卤素气体；所述充气的时间为4~6min； 所述保温保压的时间为15~25min； 所述抽真空的时间为4~6min； 所述制备原料包括碳化硅和助剂；所述碳化硅包括以下质量百分含量的组分： 碳化硅细粉50~52%，碳化硅粗粉48~50%；所述碳化硅细粉的粒径为0.5~10μm，所述碳化硅粗粉的粒径为80~150μm； 所述助剂包括分散剂、悬浮剂和消泡剂； 所述分散剂的质量为碳化硅质量的0.4~0.6%； 所述悬浮剂的质量为碳化硅质量的0.2~0.3%； 所述消泡剂的质量为碳化硅质量的0.05~0.1%； 所述烧结前，还包括：对所述烧结使用的设备依次进行抽真空和纯化； 对所述烧结使用的设备进行抽真空的过程中，所述抽真空后的压力为1~10Pa； 所述纯化的过程为： 以1~3℃min由室温升温至1090~1110℃保温0.5~1.0h；所述由室温升温至1090~1110℃的过程的压力为1~100000Pa； 以0.5~2℃min由1090~1110℃升温至2440~2460℃保温1.5~2.5h；所述由1090~1110℃升温至2440~2460℃的过程的压力为10~1000Pa； 所述纯化后，还包括随炉冷却至室温。

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