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龙图腾网获悉江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司申请的专利一种具有快恢复特性的950V高压超结MOS器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857572B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511361231.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有快恢复特性的950V高压超结MOS器件及其制作方法是由张春生;张鹏;杨珏琳;宋文龙;陈城;刘湘;许志峰设计研发完成，并于2025-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有快恢复特性的950V高压超结MOS器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有快恢复特性的950V高压超结MOS器件及其制作方法，器件具有栅极宽度不同的主副MOS区，器件整体以N型衬底进行二次外延，按最优条件拓展出多个功能层。本发明通过两次外延的N型衬底来缓解因刻蚀角度导致的槽宽不等所造成的电荷不平衡；在元胞区，分别连接栅极金属和源极金属，构成内部集成的低阈值辅助MOS结构，降低超结MOS器件的输入电容和反向恢复电流过大的问题，在不影响耐压和动态导通电阻的前提下，有效优化器件的动态特性；通过调节低阈值MOS的P型注入剂量来调节对应的阈值电压，避免因阈值电压过低而导致器件在应用中受干扰，还可以防止器件反向耐压时在低阈值的P型区发生穿通击穿。

本发明授权一种具有快恢复特性的950V高压超结MOS器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有快恢复特性的950V高压超结MOS器件，其特征在于：包括N+衬底，N+衬底正面向上依次设有连续的一次N型外延和二次N型外延，二次N型外延上设有凹陷的JFET注入区，一次N型外延和二次N型外延的两侧分别设有深槽填充P柱区，两侧的深槽填充P柱区表面分别单独设有低剂量低能量的PbodyS体区注入、高剂量低能量的PbodyG体区注入，PbodyG体区注入为主MOS的P型体区注入，PbodyS体区注入为低阈值辅助MOS的P型体区注入，PbodyS体区注入、PbodyG体区注入和二次N型外延表面设有栅极氧化层，栅极氧化层上设有多晶硅淀积，多晶硅淀积为间断的结构，栅极氧化层上还设有凹陷的N+源极注入区，两侧N+源极注入区对应地接触PbodyS体区注入、PbodyG体区注入，栅极氧化层上还设有介质层，介质层包覆多晶硅淀积并接触N+源极注入区和JFET注入区； N+衬底背面设有背面金属电极，栅极氧化层正面设有正面金属电极，正面金属电极包覆介质层并接触N+源极注入区； PbodyS体区注入的栅极和源极相连处于同电位。

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