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龙图腾网获悉罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司申请的专利一种发光二极管晶圆及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511349427.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种发光二极管晶圆及其制备方法是由李雍;瞿澄;陈文娟设计研发完成，并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管晶圆及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管晶圆及其制备方法，在本发明的发光二极管晶圆的制备方法中，通过在所述P型半导体层上沉积第一金属薄层，并对所述第一金属薄层进行热处理，以形成第一金属颗粒层，然后利用含有2,9‑二己基萘[2,3‑b]萘并[2’,3’:4,5]噻吩[3,2‑d]并噻吩有机小分子的溶液在所述第一金属颗粒层上生长2,9‑二己基萘[2,3‑b]萘并[2’,3’:4,5]噻吩[3,2‑d]并噻吩有机小分子层，接着形成银纳米线导电层和透明导电层，上述各层的设置，可以大大提高空穴从透明导电层注入到P型半导体层的效率，进而提高发光二极管晶圆的发光性能。

本发明授权一种发光二极管晶圆及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管晶圆的制备方法，其特征在于：所述发光二极管晶圆的制备方法包括以下步骤： 提供生长衬底； 在所述生长衬底上外延生长缓冲层、N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层，其中，所述缓冲层包括层叠设置的氮氧化铝层、第一氮化铝层以及第二氮化铝层，所述第二氮化铝层包括与所述第一氮化铝层接触的下表面以及背离所述第一氮化铝层的上表面，从所述下表面至所述上表面的方向上，所述第二氮化铝层中的镓的掺杂浓度逐增加； 对所述P型半导体层进行平坦化处理，接着在所述P型半导体层上沉积第一金属薄层，所述第一金属薄层的厚度为5-20纳米； 接着对所述第一金属薄层进行热处理，以形成第一金属颗粒层； 配制含有2,9-二己基萘[2,3-b]萘并[2’,3’:4,5]噻吩[3,2-d]并噻吩有机小分子的溶液，利用所述含有2,9-二己基萘[2,3-b]萘并[2’,3’:4,5]噻吩[3,2-d]并噻吩有机小分子的溶液在所述第一金属颗粒层上生长2,9-二己基萘[2,3-b]萘并[2’,3’:4,5]噻吩[3,2-d]并噻吩有机小分子层； 在所述2,9-二己基萘[2,3-b]萘并[2’,3’:4,5]噻吩[3,2-d]并噻吩有机小分子层上形成银纳米线导电层； 接着在所述银纳米线导电层上沉积透明导电层。

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