合肥晶合集成电路股份有限公司罗文澜获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种掩模板图案的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120871528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511403431.7，技术领域涉及：G03F1/76；该发明授权一种掩模板图案的制作方法是由罗文澜;魏姣阳;张新秀;曾炜炜设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种掩模板图案的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种掩模板图案的制作方法，涉及半导体技术领域。掩模板图案的制作方法包括如下步骤：提供晶圆的尺寸数据、芯片图形及与晶圆对应的初始曝光区域的尺寸数据；逐渐减小初始曝光区域的面积，获得多个中间曝光区域；根据中间曝光区域的面积计算晶圆的尺寸对应的芯片数量；将芯片数量相同的中间曝光区域计为一组，并将面积最大的中间曝光区域记为最终曝光区域；根据最终曝光区域的形状设计掩模板边框；根据芯片图形的尺寸选择掩模板边框，并使掩模板边框环绕芯片图形设置。本申请掩模板图案的制作方法，晶圆对应芯片数量相同的掩模板使用同一个掩模板边框，不仅可以保证晶圆的产出，还可以避免重复设计掩模板，提高工作效率，降低出错概率。
本发明授权一种掩模板图案的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模板图案的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 获取晶圆的尺寸数据、芯片图形及与所述晶圆对应的初始曝光区域的尺寸数据； 逐渐减小所述初始曝光区域的面积，获得不同面积的多个中间曝光区域； 根据多个所述中间曝光区域的面积计算所述晶圆的尺寸对应的芯片数量； 将所述芯片数量相同的所述中间曝光区域计为一组，并将同一组所述中间曝光区域中面积最大的所述中间曝光区域记为最终曝光区域； 根据所述最终曝光区域的形状设计掩模板边框； 根据所述芯片图形的尺寸选择所述掩模板边框，并使所述掩模板边框环绕所述芯片图形设置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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