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龙图腾网获悉江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司申请的专利一种深槽填充结构的950V超结MOS终端结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120882059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511384262.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种深槽填充结构的950V超结MOS终端结构及其制作方法是由张春生;张鹏;杨珏琳;宋文龙;陈城;刘湘;许志峰设计研发完成，并于2025-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种深槽填充结构的950V超结MOS终端结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种深槽填充结构的950V超结MOS终端结构及其制作方法，器件额外设有Ptop浮空P柱连接层注入、终端区多晶硅场板、终端区金属场板，器件整体以N型衬底进行二次外延，按最优条件拓展出多个功能层。本发明利用深槽填充工艺，通过优化结构设计和制造工艺，有效降低导通电阻，提高击穿电压等级及其稳定性，同时优化终端部分的开关损耗，提升整体性能；在衬底上生长两次N型外延来优化深槽刻蚀因刻蚀角度问题导致的电荷不平衡现象，由于两次外延的电阻率不同，使整个N柱和P柱最大程度地完成电荷平衡，并通过对终端区表面进行P型轻注入，将终端区的浮空P柱进行连接，再优化表面电场分布，实现更加稳定的击穿特性。

本发明授权一种深槽填充结构的950V超结MOS终端结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种深槽填充结构的950V超结MOS终端结构，其特征在于：包括N+衬底，N+衬底背面设有背面金属电极，N+衬底正面向上依次设有连续的一次N型外延和二次N型外延； 一次N型外延和二次N型外延内设有凹陷、等间距排布的深槽填充P柱区； 二次N型外延的一端设有正面源极金属电极，正面源极金属电极内部设有ILD介质层，ILD介质层内部设有元胞区栅极多晶硅，ILD介质层底部设有栅极氧化层，该端的二次N型外延顶部设有下沉的JFET注入区，该端最外侧相邻的两个深槽填充P柱区顶部设有Pbody体区注入，且该端最外侧的深槽填充P柱区顶部设有凹沉的N+源极注入区；栅极氧化层同时与ILD介质层、元胞区栅极多晶硅、N+源极注入区、Pbody体区注入、JFET注入区、二次N型外延面接触； 二次N型外延的中心区域顶部设有凹沉的Ptop浮空P柱连接层注入，二次N型外延的中心区域顶面设有单独的ILD介质层，ILD介质层延伸至二次N型外延的另一端，ILD介质层内设有若干等间距的终端区多晶硅场板，ILD介质层顶部设有若干等间距的终端区金属场板；ILD介质层同时与Ptop浮空P柱连接层注入、二次N型外延、正面源极金属电极面接触； 二次N型外延的另一端顶部设有截止环金属，截止环金属的两侧与中心区域的ILD介质层面接触，该端的二次N型外延顶部无Ptop浮空P柱连接层注入。

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