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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种提升AlGaInP红光Micro LED发光性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120882179B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511395336.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种提升AlGaInP红光Micro LED发光性能的方法是由黄振;钟冠伦;方其超;王月;王程功;郑鹏远;张宇设计研发完成，并于2025-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升AlGaInP红光Micro LED发光性能的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种提升AlGaInP红光MicroLED发光性能的方法，包括如下步骤：S1，外延结构制备：衬底与缓冲层处理、刻蚀阻挡层与欧姆接触层生长、功能层堆叠外延；S2，硅基衬底图形化；S3,外延片预处理与Mesa刻蚀；S4，侧壁修复与湿氧化处理；S5，二次外延与侧壁钝化；S6，金属反射层与保护层制备；S7，键合与衬底去除；S8，n侧电极与性能优化；本申请克服了现有AlGaInP红光MicroLED在小尺寸、高PPI场景下，因侧壁非辐射复合加剧、载流子横向泄露、侧壁易腐蚀导致的发光效率低、稳定性差的缺陷，通过“外延层湿氧化层设计+多工艺协同优化”的制备方法，实现发光性能与工作稳定性的同步提升。

本发明授权一种提升AlGaInP红光Micro LED发光性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种提升AlGaInP红光MicroLED发光性能的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1,外延结构制备： 衬底与缓冲层处理：选用n型GaAs衬底，清洗后通过MOCVD外延生长n型GaAs缓冲层，控制掺杂浓度、厚度及成膜温度； 刻蚀阻挡层与欧姆接触层生长：在缓冲层上外延生长n型刻蚀阻挡层， 随后在刻蚀阻挡层上外延生长n型GaNInGaN欧姆接触层； 功能层堆叠外延：在欧姆接触层上依次外延生长n型AlInP限制层、n型超晶格结构、n型湿氧化层、n型间隔层、量子阱结构、p型间隔层、p型湿氧化层、p型限制层、p型超晶格结构、p型渐变层及p型重掺杂层，精确控制各层参数； S2，硅基衬底图形化： 清洗硅晶圆硅基CMOS，通过PECVD沉积介质层，经过涂胶、曝光、显影后形成Cr掩 膜，对介质层刻蚀后通过溅射沉积种子层并电镀Cu金属，经CMP抛光，对介质层和 Cu金属的高度差以及介质层的均方根粗糙度进行测量以确保在要求范围内； S3,外延片预处理与Mesa刻蚀： 清洗外延片后，通过电子束蒸发、溅射或反应性等离子源沉积p型ITO层，经涂胶、曝光、 显影制备掩膜，介质层、ITO层以及外延片进行Mesa刻蚀，刻透量子阱结构，且刻蚀过程 中，n型湿氧化层或p型湿氧化层靠近侧壁区域发生横向侧蚀； S4，侧壁修复与湿氧化处理： 采用ALE设备修复Msea侧壁刻蚀损伤层，以确保Mesa顶部掩膜完好；采用高温高湿湿氧 化处理使侧壁侧蚀区域的湿氧化层转化为致密的层； S5，二次外延与侧壁钝化： 采用MOCVD进行二次外延生长p型AlInP或GaP层；清洗后采用ALD设备沉积侧壁钝化层； S6，金属反射层与保护层制备： 匀胶、曝光、显影后刻蚀Mesa顶部钝化层，直至暴露ITO层，去胶后再次匀胶、曝光、显 影，沉积金属反射层，去胶；在外延层表面生长保护层，在晶圆背面沉积层；沉积膜层消除孔隙异常，清洗后进行CMP抛光，确保膜层均方根粗糙度在要求范围内； S7，键合与衬底去除： 重复S2的图形化工艺，在膜层上制备Cr掩膜、Cu种子层与Cu金属图形；将图形化后 的硅基衬底与外延片进行混合键合；采用ICP刻蚀去除晶圆背面的层，再去除GaAs衬底 与n型GaAs缓冲层；湿法腐蚀，直至暴露n型GaNInGaN欧姆接触层； S8，n侧电极与性能优化： 清洗后通过电子束蒸发、溅射或反应性等离子源沉积的n型ITO层；涂胶、曝光、显影制备掩膜，采用ICP刻蚀调整n型ITO层与外延层图形；去除掩膜后清洗，通过镀膜、涂胶、曝光、显影沉积电极金属膜层，并制备微透镜或超表面结构，得到MicroLED器件。

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