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龙图腾网获悉苏州中瑞宏芯半导体有限公司申请的专利一种大功率半导体器内的应力去除方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120911400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511433054.1，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权一种大功率半导体器内的应力去除方法及系统是由郝建勇;董志意;张振中设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大功率半导体器内的应力去除方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，是一种大功率半导体器内的应力去除方法及系统，具体方法包括：基于芯片材料与结构数据进行芯片各区域应力敏感度评估的评估结果，得到芯片各区域预估应力生成量数据；基于芯片各区域预估应力生成量数据和半导体运行状态数据，进行半导体各驱动方案中芯片各区域应力分布稳定性评估，判断半导体各驱动方案中芯片各区域开关作业参数是否需要调整；根据半导体各驱动方案中芯片各区域应力分布稳定性评估结果得到半导体驱动作业方案并进行作业，在驱动方案设计阶段就对不同方案下各区域点的应力分布稳定性进行前瞻性评估，从而使开关参数自适应调整，提高了大功率半导体器件在动态工况下的可靠性及寿命。

本发明授权一种大功率半导体器内的应力去除方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种大功率半导体器内的应力去除方法，其特征在于，所述方法包括如下具体步骤： S1：获取参考半导体器件应力容限数据、参考开关参数调整量数据、半导体运行状态数据和芯片材料与结构数据； S2：基于芯片材料与结构数据进行芯片各区域应力敏感度评估，根据芯片各区域应力敏感度评估结果得到芯片各区域预估应力生成量数据； S3：基于芯片各区域预估应力生成量数据和半导体运行状态数据进行半导体各驱动方案中芯片各区域应力分布稳定性评估，根据评估结果判断半导体各驱动方案中芯片各区域开关作业参数是否需要调整； 所述S3包括： 基于半导体各驱动方案中芯片各区域开关损耗分布数据和瞬时结温数据进行半导体各驱动方案中芯片各区域热应力动态响应评估，其中，半导体第j个驱动方案中芯片第i个区域热应力动态响应评估结果的计算公式为： ； 其中，为一个工作周期；为周期内t时刻半导体第j个驱动方案中芯片第i个区域的开关损耗；为参考平均开关损耗；为周期内t时刻半导体第j个驱动方案中芯片第i个区域的瞬时结温；为额定结温；为最大允许结温； 所述S3还包括： 获取各参数调整区域对应的应力分布稳定性评估值，基于各参数调整区域对应的应力分布稳定性评估值和参考开关参数调整量数据得到各参数调整区域所需参数调整量，其中，第y个参数调整区域所需开关开通时间调整量计算公式为： ； 其中，y为各参数调整区域所对应的编号，为应力分布稳定性评估值阈值，为第y个参数调整区域对应的应力分布稳定性评估值，为设定的参考开通时间调整基准量； S4：通过半导体各驱动方案中芯片各区域应力分布稳定性评估结果得到半导体驱动作业方案，根据得到的半导体驱动作业方案进行半导体开关作业。

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