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龙图腾网获悉苏州元脑智能科技有限公司申请的专利闪存存储介质的最优偏移电压确定方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120932705B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511468490.2，技术领域涉及：G11C16/14；该发明授权闪存存储介质的最优偏移电压确定方法及设备是由丁雨廷;李栋;邵文豪设计研发完成，并于2025-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存存储介质的最优偏移电压确定方法及设备在说明书摘要公布了：本申请涉及固态硬盘技术领域，特别涉及一种闪存存储介质的最优偏移电压确定方法及设备，方法包括：根据目标存储块的当前位错误率确定数据保留触发阈值，且根据当前读操作频率确定读干扰触发阈值；基于当前擦写次数、擦写次数触发阈值、当前数据保留时长、数据保留触发阈值、当前读取次数和读干扰触发阈值，在目标存储块满足预设的偏移电压确定条件时，对目标存储块执行偏移电压扫描，并根据偏移电压扫描结果确定当前最优偏移电压。由此，解决了相关技术中因触发机制僵化、搜索效率低下而无法实时适应温度、错误率及负载变化，导致读取电压匹配精度不足和错误率升高的问题，显著提升了最优偏移电压的搜索效率与实时性，有效降低了读取错误率。

本发明授权闪存存储介质的最优偏移电压确定方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种闪存存储介质的最优偏移电压确定方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取目标存储块的当前擦写次数、当前数据保留时长、当前读取次数、当前工作温度、当前位错误率和当前读操作频率； 根据所述当前工作温度确定擦写次数触发阈值，并根据所述当前位错误率确定数据保留触发阈值，且根据所述当前读操作频率确定读干扰触发阈值； 基于所述当前擦写次数、所述擦写次数触发阈值、所述当前数据保留时长、所述数据保留触发阈值、所述当前读取次数和所述读干扰触发阈值，根据所述当前位错误率判断所述目标存储块是否满足预设的偏移电压确定条件，若所述当前位错误率小于预设位错误率阈值，则判定所述目标存储块不满足所述预设的偏移电压确定条件； 若所述目标存储块满足所述预设的偏移电压确定条件，则对所述目标存储块执行偏移电压扫描，得到偏移电压扫描结果，并根据所述偏移电压扫描结果确定当前最优偏移电压； 其中，所述擦写次数触发阈值为： ； 其中，为所述擦写次数触发阈值，为触发点，为当前工作温度，为预设温度下的初始擦写次数触发阈值，为当前工作温度对预设温度下的初始擦写次数触发阈值的降低系数，为预设温度下的触发间隔，为当前工作温度对预设温度下的触发间隔的降低系数； 所述数据保留触发阈值为： ； 其中，为所述数据保留触发阈值，为加速因子，为预设温度下的固定触发间隔，为错误率敏感系数，为所述目标存储块中的实时错误比特数，为低密度奇偶校验码解码的最大纠错能力； 所述读干扰触发阈值为： ； 其中，为所述读干扰触发阈值，为初始读干扰触发间隔，为负载敏感系数，为当前读操作频率，为全局平均读操作频率，为系统预设的最大负载阈值； 所述基于所述当前擦写次数、所述擦写次数触发阈值、所述当前数据保留时长、所述数据保留触发阈值、所述当前读取次数和所述读干扰触发阈值，根据所述当前位错误率判断所述目标存储块是否满足预设的偏移电压确定条件，包括：判断所述当前擦写次数是否大于或等于所述擦写次数触发阈值，或者所述当前数据保留时长是否大于或等于所述数据保留触发阈值，或者所述当前读取次数是否大于或等于所述读干扰触发阈值；在所述当前擦写次数大于或等于所述擦写次数触发阈值，或者所述当前数据保留时长大于或等于所述数据保留触发阈值，或者所述当前读取次数大于或等于所述读干扰触发阈值的情况下，判断所述当前位错误率是否大于或者等于预设位错误率阈值；若所述当前位错误率大于或者等于所述预设位错误率阈值，则判定所述目标存储块满足所述预设的偏移电压确定条件。

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