买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉武汉脉冲芯电子科技有限公司申请的专利一种SiC MOSEFET体二极管双极退化试验自动化测试装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223624368U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422891293.9，技术领域涉及：G01R31/26；该实用新型一种SiC MOSEFET体二极管双极退化试验自动化测试装置是由杨凤鸣;项卫光设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC MOSEFET体二极管双极退化试验自动化测试装置在说明书摘要公布了：本申请属于SiC功率半导体器件技术领域，具体公开了一种SiCMOSEFET体二极管双极退化试验自动化测试装置。通过本申请，温度测量电路测量被测器件的温度，将实时测量到的温度发送给控制单元，以使控制单元产生控制冷却装置的控制信号，所述冷却装置在控制信号作用下，在实测温度超过器件允许的最高温度时，对被测SiCMOSEFET进行冷却散热，实现SiCMOSFET双极型退化试验自动测试过程中能稳定控制器件的温度。此外，SiCMOSFET双极型退化试验结束后，还可通过动态特性评估电路输出端连接数据处理单元接至人机交互模块，实现对被测SiCMOSFET的动态特性测试；通过漏源电压采样电路和控制单元完成对被测SiCMOSFET的静态特性测试，用于实现对退化状态的评估。

本实用新型一种SiC MOSEFET体二极管双极退化试验自动化测试装置在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSEFET体二极管双极退化试验自动化测试装置，其特征在于，包括：控制单元、人机交互模块、漏-源电压采样电路、温度测量电路、电子开关、电流源、逻辑控制单元、脉冲发生电路、程控电压源、冷却装置、动态特性评估电路和数据处理单元；其中， 所述控制单元的第一输入端接至人机交互模块输出端，所述人机交互模块的输入端接至数据处理单元； 所述控制单元的第二输入端接至漏-源电压采样电路的输出端，所述漏-源电压采样电路的正输入端接至被测器件漏极，负输入端接至被测器件源极； 所述控制单元的第三输入端接至温度测量电路的输出端，所述温度测量电路紧贴于被测器件表面； 所述控制单元的第一输出端接至电子开关的控制端，所述电子开关与电流源电连接，所述电流源的正极接至被测器件源极，负极接至被测器件漏极； 所述控制单元的第二输出端接至逻辑控制单元，所述逻辑控制单元的输出端接至脉冲发生电路的控制端，所述脉冲发生电路的输出端接至程控电压源的控制端，所述程控电压源的正极连接到被测器件栅极，负极连接到被测器件源极； 所述控制单元的第三输出端接至冷却装置的控制端，所述冷却装置靠近被测器件放置； 所述动态特性评估电路中的开关管为被测器件，输出端通过数据处理单元接至人机交互模块。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉脉冲芯电子科技有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉新能源研究院大楼G2栋2楼2020(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。