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龙图腾网获悉普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利芯片堆叠封装结构和封装产品获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223624976U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423192048.5，技术领域涉及：H01L23/13；该实用新型芯片堆叠封装结构和封装产品是由陈亮琦设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片堆叠封装结构和封装产品在说明书摘要公布了：本申请提供的一种芯片堆叠封装结构和封装产品，涉及半导体封装技术领域。该芯片堆叠封装结构包括衬底、堆叠芯片、重布线层、绝缘层和第二焊盘。衬底开设有凹槽；凹槽的槽底设有第一焊盘。堆叠芯片包括沿厚度方向依次堆叠的多个芯片，堆叠芯片的表面设有连接凸点，每个芯片均与连接凸点电连接。堆叠芯片设于凹槽内，堆叠芯片具有连接凸点的一侧朝向凹槽的槽底，连接凸点和第一焊盘电连接。重布线层设于第二表面，重布线层与第一焊盘电连接；绝缘层覆盖重布线层。第二焊盘电连接于重布线层远离第一焊盘的一侧，且第二焊盘从绝缘层中露出。该封装结构有利于缩减整体高度，减小封装体积，有利于实现小型化封装。

本实用新型芯片堆叠封装结构和封装产品在权利要求书中公布了：1.一种芯片堆叠封装结构，其特征在于，包括： 衬底110，所述衬底110包括沿其厚度方向相对设置的第一表面111和第二表面112，所述第一表面111开设有凹槽113；所述凹槽113的槽底设有第一焊盘114； 堆叠芯片120，所述堆叠芯片120包括沿厚度方向依次堆叠的多个芯片，所述堆叠芯片120的表面设有连接凸点121，每个所述芯片均与所述连接凸点121电连接； 所述堆叠芯片120设于所述凹槽113内，所述堆叠芯片120具有所述连接凸点121的一侧朝向所述凹槽113的槽底，所述连接凸点121和所述第一焊盘114电连接； 重布线层140，所述重布线层140设于所述第二表面112，所述重布线层140与所述第一焊盘114电连接； 绝缘层150，所述绝缘层150覆盖所述重布线层140； 第二焊盘151，所述第二焊盘151电连接于所述重布线层140远离所述第一焊盘114的一侧，且所述第二焊盘151从所述绝缘层150中露出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人普冉半导体(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201000 上海市浦东新区申江路5005弄1号9层整层(实际楼层8楼)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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