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龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利功率半导体封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223624992U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422809959.1，技术领域涉及：H01L23/49；该实用新型功率半导体封装结构是由黄轶愚;周飞胜设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供的一种功率半导体封装结构包括：基板，具有相背设置的第一及第二表面；芯片，设置在基板的第一表面上，芯片的背离基板的表面配置有第一电极焊盘，芯片的朝向基板的表面配置有与基板的第一表面连接的第二电极焊盘；封装体，至少包封基板的第一表面和芯片，基板的第二表面至少部分暴露于封装体外；第一端子，与第一电极焊盘连接；以及第二端子，包括包封在封装体内且与基板连接的连接段和暴露于封装体外的引出段，连接段具有朝向基板的第一表面的下表面以及背离基板的第一表面的上表面，连接段的下表面通过连接材料与基板连接，且连接段的下表面配置有凸起结构。凸起结构可对连接材料起到限位作用、并提供更大的接触面积，提升了可靠性。

本实用新型功率半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体封装结构，其特征在于，包括： 基板，具有相背设置的第一表面和第二表面； 芯片，设置在所述基板的第一表面上，所述芯片的背离所述基板的表面配置有第一电极焊盘，所述芯片的朝向所述基板的表面配置有第二电极焊盘，所述第二电极焊盘与所述基板的第一表面连接； 封装体，至少包封所述基板的第一表面和所述芯片，所述基板的第二表面至少部分暴露于所述封装体外； 第一端子，包括第一连接段和第一引出段，所述第一连接段被包封在所述封装体内且与所述芯片的所述第一电极焊盘连接，所述第一引出段暴露于所述封装体外； 第二端子，包括第二连接段和第二引出段，所述第二连接段被包封在所述封装体内且与所述基板连接，所述第二引出段暴露于所述封装体外；其中，所述第二连接段具有朝向所述基板的第一表面的下表面以及背离所述基板的第一表面的上表面，所述第二连接段的下表面通过位于所述第二连接段的下表面与所述基板的第一表面之间的连接材料以焊接或烧结方式与所述基板连接，且所述第二连接段的下表面配置有凸起结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南三安半导体有限责任公司，其通讯地址为：410000 湖南省长沙市长沙高新开发区长兴路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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