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龙图腾网获悉欣兴电子股份有限公司申请的专利改善边缘缺陷的强化玻璃基板结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223624995U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423098565.6，技术领域涉及：H01L23/498；该实用新型改善边缘缺陷的强化玻璃基板结构是由粘恒铭;陈志隆;陈裕华设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善边缘缺陷的强化玻璃基板结构在说明书摘要公布了：一种改善边缘缺陷的强化玻璃基板结构，包括设置于一玻璃基板的一第一表面上的一第一介电层、设置于该玻璃基板的一第二表面上的一第二介电层；一第一金属强化结构设置于对应于该第一表面的一第一边缘的该第一介电层中，且该第一介电层中设有一第一电路的各层电路分别水平对应到该第一介电层中的该第一金属强化结构；一第二金属强化结构设置于对应于该第二表面的一第二边缘的该第二介电层中，且该第二介电层中设有一第二电路的各层电路分别水平对应到该第二介电层中的该第二金属强化结构；该强化玻璃基板结构可降低产生赛瓦雷缺陷的机率。

本实用新型改善边缘缺陷的强化玻璃基板结构在权利要求书中公布了：1.一种改善边缘缺陷的强化玻璃基板结构，其特征在于，该强化玻璃基板结构包括： 一玻璃基板，具有相对的一第一表面和一第二表面，且该玻璃基板还具有至少一侧表面；该第一表面环绕有一第一边缘、该第二表面环绕有一第二边缘； 一核心介电层，水平环绕该玻璃基板，且该核心介电层与该玻璃基板的至少一该侧表面留有一间隙，该间隙中填有一间隙介电层；该核心介电层具有相对的一第一核心介电表面和一第二核心介电表面，且该核心介电层还具有至少一核心介电侧表面；该第一核心介电表面环绕有一第一核心介电边缘、该第二核心介电表面环绕有一第二核心介电边缘； 一第一介电层，设置于该玻璃基板的该第一表面和该核心介电层的该第一核心介电表面上；该第一介电层中设有一第一电路； 一第二介电层，设置于该玻璃基板的该第二表面和该核心介电层的该第二核心介电表面上；该第二介电层中设有一第二电路； 一第一金属强化结构，设置于对应于该第一边缘的该第一介电层中，且该第一金属强化结构延伸至对应于该第一核心介电边缘的该第一介电层中；和 一第二金属强化结构，设置于对应于该第二边缘的该第二介电层中，且该第二金属强化结构延伸至对应于该第二核心介电边缘的该第二介电层中； 该第一电路和该第二电路分别为多层电路，并且该第一金属强化结构及该第二金属强化结构分别为一多层结构，且该第一电路中的各层电路分别水平对应到该第一介电层中该第一金属强化结构的各层结构，该第二电路中的各层电路分别水平对应到该第二介电层中该第二金属强化结构的各层结构。

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