苏州新纽元电子技术有限公司邱明获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州新纽元电子技术有限公司申请的专利一种低EMI的隔离脉冲耦合全桥碳化硅驱动电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223625753U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422964351.6，技术领域涉及：H02M1/08；该实用新型一种低EMI的隔离脉冲耦合全桥碳化硅驱动电路是由邱明设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低EMI的隔离脉冲耦合全桥碳化硅驱动电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种低EMI的隔离脉冲耦合全桥碳化硅驱动电路，其可减少电磁干扰，保证全桥驱动电路的正常工作；包括两个相同的半桥电路，每个所述半桥电路均包括：驱动隔离模块，用于接收驱动信号，并可对驱动信号进行放大隔离；快速关断保护模块，与所述驱动隔离模块连接，用于根据放大隔离后的驱动信号实现快速关断，并实现驱动信号正负电压的钳位保护；所述快速关断保护模块包括碳化硅MOS管Q1、碳化硅MOS管Q2；EMI降噪模块，与所述快速关断保护模块连接，用于降低所述碳化硅MOS管Q1、碳化硅MOS管Q2的EMI噪声。
本实用新型一种低EMI的隔离脉冲耦合全桥碳化硅驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种低EMI的隔离脉冲耦合全桥碳化硅驱动电路，包括两个相同的半桥电路，其特征在于：每个所述半桥电路均包括： 驱动隔离模块，用于接收驱动信号，并可对驱动信号进行放大隔离； 快速关断保护模块，与所述驱动隔离模块连接，用于根据放大隔离后的驱动信号实现快速关断，并实现驱动信号正负电压的钳位保护；所述快速关断保护模块包括碳化硅MOS管Q1、碳化硅MOS管Q2； EMI降噪模块，与所述快速关断保护模块连接，用于降低所述碳化硅MOS管Q1、碳化硅MOS管Q2的EMI噪声。
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