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龙图腾网获悉深圳崧盛创新技术有限公司申请的专利碳化硅MOSFET桥式电路的串扰抑制驱动电路及电源设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223625755U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423296894.1，技术领域涉及：H02M1/088；该实用新型碳化硅MOSFET桥式电路的串扰抑制驱动电路及电源设备是由唐建国;秦惠;赖垂庭;龙斌设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅MOSFET桥式电路的串扰抑制驱动电路及电源设备在说明书摘要公布了：本实用新型涉及碳化硅MOSFET桥式电路的串扰抑制驱动电路及电源设备。串扰抑制驱动电路包括上桥驱动模块、上桥串扰抑制模块、下桥驱动模块和下桥串扰抑制模块；上桥驱动模块分别连接上桥串扰抑制模块和上桥臂，上桥串扰抑制模块还连接上桥臂；下桥驱动模块分别连接下桥串扰抑制模块和下桥臂，下桥串扰抑制模块还连接下桥臂。各串扰抑制模块与对应的桥臂共用关断信号和导通信号，无需额外增加检测或控制电路对串扰抑制模块进行控制；各串扰抑制模块在对应的桥臂关断过程中与其接通，能够抑制碳化硅MOSFET的正向驱动串扰和负向驱动串扰；各串扰抑制模块在对应的桥臂导通前自动与其断开，可以降低桥臂的导通损耗，避免降低电路效率。

本实用新型碳化硅MOSFET桥式电路的串扰抑制驱动电路及电源设备在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET桥式电路的串扰抑制驱动电路，其特征在于，所述桥式电路包括上桥臂和下桥臂，所述上桥臂包括上桥碳化硅MOSFET，所述下桥臂包括下桥碳化硅MOSFET； 所述串扰抑制驱动电路包括：上桥驱动模块、上桥串扰抑制模块、下桥驱动模块和下桥串扰抑制模块； 所述上桥驱动模块分别连接所述上桥串扰抑制模块和所述上桥臂，所述上桥串扰抑制模块还连接所述上桥臂；所述下桥驱动模块分别连接所述下桥串扰抑制模块和所述下桥臂，所述下桥串扰抑制模块还连接所述下桥臂； 所述上桥驱动模块用于输出上桥关断信号或上桥导通信号；所述下桥驱动模块用于输出下桥关断信号或下桥导通信号； 所述上桥串扰抑制模块，在所述上桥臂根据所述上桥关断信号关断前，根据所述上桥关断信号与所述上桥臂接通；在所述上桥臂根据所述上桥导通信号导通前，根据所述上桥导通信号与所述上桥臂断开；在所述上桥臂关断时，用于抑制所述上桥臂由于所述下桥臂导通产生的正向驱动串扰，以及由于所述下桥臂关断产生的负向驱动串扰； 所述下桥串扰抑制模块，在所述下桥臂根据所述下桥关断信号关断前，根据所述下桥关断信号与所述下桥臂接通；在所述下桥臂根据所述下桥导通信号导通前，根据所述下桥导通信号与所述下桥臂断开；在所述下桥臂关断时，用于抑制所述下桥臂由于所述上桥臂导通产生的正向驱动串扰，以及由于所述上桥臂关断产生的负向驱动串扰。

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