台湾积体电路制造股份有限公司许俊民获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223626238U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423104570.3，技术领域涉及：H10D1/20；该实用新型半导体装置结构是由许俊民;洪铭辰;陈致孝;黄以理;徐庆钟;李怡蓁设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置结构。结构包括装置层、包括设置在装置层上的多个金属层的互连结构，以及设置在互连结构上的超厚金属结构。超厚金属结构包括具有第一宽度的第一超厚金属特征，以及设置在第一超厚金属特征周围的第二超厚金属特征，其中第二超厚金属特征具有小于第一宽度的第二宽度，第二超厚金属特征通过介电层与第一超厚金属特征分开。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括： 一装置层； 一互连结构，包括多个金属层设置在该装置层上；以及 一超厚金属结构设置在该互连结构上，该超厚金属结构包括： 一第一超厚金属特征，具有一第一宽度；以及 一第二超厚金属特征，设置在该第一超厚金属特征周围，其中该第二超厚金属特征具有小于该第一宽度的一第二宽度，以及该第二超厚金属特征通过一介电层与该第一超厚金属特征分开。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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