芜湖协鑫集成新能源科技有限公司;协鑫集成科技股份有限公司高思源获国家专利权
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龙图腾网获悉芜湖协鑫集成新能源科技有限公司;协鑫集成科技股份有限公司申请的专利高效N型背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223626271U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423154277.8，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型高效N型背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统是由高思源设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本高效N型背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统在说明书摘要公布了：本申请公开高效N型背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统，高效N型背接触太阳能电池包括硅衬底，具有相对的衬底正面和衬底背面，衬底背面具有依次布置的第一掺杂区、隔离区和第二掺杂区；第一掺杂区包括在远离衬底背面方向上依次设置的隧穿氧化层、P型多晶硅层、氧化铝层以及背面氮化硅层；第二掺杂区包括在远离衬底背面方向上依次设置的隧穿氧化层、N型多晶硅层以及背面氮化硅层；隔离区在远离衬底背面方向上设置有背面氮化硅层。本申请在第一掺杂区采用与N‑TOPCon正面相同的接触钝化结构，第二掺杂区采用与N‑TOPCon背面相同的接触钝化结构。提高整体钝化水平，提升背接触太阳能电池的稳定性和效率，避免不必要的材料浪费。
本实用新型高效N型背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种高效N型背接触太阳能电池，其特征在于，包括： 硅衬底，具有相对的衬底正面和衬底背面，所述衬底背面具有依次布置的第一掺杂区、隔离区和第二掺杂区； 所述第一掺杂区包括在远离所述衬底背面方向上依次设置的隧穿氧化层、P型多晶硅层、氧化铝层以及背面氮化硅层； 所述第二掺杂区包括在远离所述衬底背面方向上依次设置的隧穿氧化层、N型多晶硅层以及背面氮化硅层； 所述隔离区在远离所述衬底背面方向上设置有背面氮化硅层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芜湖协鑫集成新能源科技有限公司;协鑫集成科技股份有限公司，其通讯地址为：241100 安徽省芜湖市湾沚区安徽新芜经济开发区鸠兹大道18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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