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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种镍铜合金单晶薄膜的制备方法以及由此得到的镍铜合金单晶薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108754608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810669531.8，技术领域涉及：C30B29/52；该发明授权一种镍铜合金单晶薄膜的制备方法以及由此得到的镍铜合金单晶薄膜是由张学富;王浩敏;吴天如;谢晓明设计研发完成，并于2018-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种镍铜合金单晶薄膜的制备方法以及由此得到的镍铜合金单晶薄膜在说明书摘要公布了：本发明涉及一种镍铜111合金单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，提供蓝宝石基片；S2，在蓝宝石基片的晶面Al2O30001上沉积50‑5000nm厚的金属薄膜，得到沉积有镍铜合金的蓝宝石衬底，其中，该金属薄膜为镍原子占原子总数的1‑40％的由镍原子和铜原子组成的合金薄膜；S3，将蓝宝石衬底放入化学气相沉积炉中，在氩气和氢气的气体氛围中进行退火处理，得到111晶向的单晶薄膜。本发明还涉及一种根据上述的制备方法得到的镍铜111合金单晶薄膜。根据本发明的制备方法获得的镍铜111合金单晶薄膜，极大地提高石墨烯的性能，为下一步石墨烯在微电子领域中的应用奠定基础。

本发明授权一种镍铜合金单晶薄膜的制备方法以及由此得到的镍铜合金单晶薄膜在权利要求书中公布了：1.一种镍铜合金单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，提供蓝宝石片，对蓝宝石片进行清洗，将清洗后的蓝宝石片放入马弗炉中在1100℃下进行高温退火，从而得到蓝宝石基片； S2，同时沉积镍铜原子，在蓝宝石基片的晶面Al2O30001上沉积50-5000nm厚的金属薄膜，得到沉积有镍铜合金的蓝宝石衬底，其中，该金属薄膜为镍原子占原子总数的1-40%的由镍原子和铜原子组成的合金薄膜； S3，将蓝宝石衬底放入化学气相沉积炉中，在氩气和氢气的气体氛围中进行退火处理，以10℃min的升温速率升至600℃，氩气和氢气的比例是500sccm：40sccm；在600℃条件下保温60min，氩气和氢气的比例是500sccm：20sccm；由600℃以10℃min升温速率升至1000℃，氩气和氢气的比例是500sccm：20sccm；在1000℃条件下退火60min，氩气和氢气的比例是500sccm：10sccm；退火后以4℃min的降温速率将至常温，氩气和氢气的比例是500sccm：5sccm，得到111晶向的镍铜合金单晶薄膜，该单晶薄膜的面外X射线衍射图中具有111合金取向峰，该单晶薄膜的面内X射线衍射图中具有三重对称峰。

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