黎子兰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉黎子兰申请的专利一种LED器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110021688B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810018058.7，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权一种LED器件及其制造方法是由黎子兰设计研发完成，并于2018-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种LED器件及其制造方法。该方法，包括：在外延片上设置P‑电极反射层，其中外延片包括衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层；部分移除衬底，并在移除衬底的部分形成与电子传输层电连接的N‑电极；形成与N‑电极电连接的导电路径；以及在经部分移除的衬底中填充透明材料。
本发明授权一种LED器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种LED器件的制造方法，其特征在于，包括： 在外延片上设置P-电极反射层，其中外延片包括Si衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层，所述P-电极设置在所述空穴传输层上； 在P-电极反射层上设置保护层，所述保护层从所述P-电极反射层延伸至空穴传输层上； 将保护层朝下，部分移除Si衬底，曝露部分电子传输层，并在移除Si衬底的部分形成与电子传输层电连接的N-电极，多个N-电极设置在发光结构区域的几何中心； 形成与N-电极电连接的导电路径；其中，形成与N-电极电连接的导电路径在填充透明材料的步骤之前或之后；多个N-电极通过多条导电路径分别连接到保留Si衬底的N-区域；以及 在经部分移除的Si衬底中填充透明材料；在保留的Si衬底区域划片，切割Si衬底，分离出各个LED器件，其中，在LED器件的制造过程不需要进行衬底移除或者衬底键合，也不需要额外的支撑衬底； LED器件的非光侧包括P-焊盘，P-焊盘电连接到一个或多个P-电极；其中，所述保护层为绝缘层，绝缘层上包括开口以曝露出P-电极反射层；P-电极反射层通过P-欧姆接触层与P-焊盘电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人黎子兰，其通讯地址为：412300 湖南省株洲市攸县城关镇百花社区接龙桥巷30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励