三星电子株式会社吴世真获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利处理衬底的设备和方法、和使用其制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111211044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910754012.6，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权处理衬底的设备和方法、和使用其制造半导体装置的方法是由吴世真;金教赫;宣钟宇;成德镛;李成基;李在铉设计研发完成，并于2019-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本处理衬底的设备和方法、和使用其制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：本申请提供了衬底处理设备、衬底处理方法和制造半导体装置的方法。所述衬底处理方法包括：将衬底提供至处理腔室中；将参考光引入至处理腔室中；在处理腔室中生成等离子体光，同时对衬底执行蚀刻处理；接收参考光和等离子体光；以及，通过分析参考光和等离子体光来检测蚀刻结束点。检测蚀刻结束点包括补偿调整，补偿调整基于相对于等离子体光的发射信号的变化率的参考光的吸收信号的变化率。
本发明授权处理衬底的设备和方法、和使用其制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底处理方法，包括： 将衬底提供至处理腔室中； 将参考光引入至所述处理腔室中； 在所述处理腔室中生成等离子体光，同时对所述衬底执行蚀刻处理； 接收所述参考光和所述等离子体光；和 通过分析所述参考光和所述等离子体光来检测蚀刻结束点， 其中，检测所述蚀刻结束点包括补偿调整，所述补偿调整基于相对于所述等离子体光的发射信号的变化率的所述参考光的吸收信号的变化率， 其中，接收所述参考光和所述等离子体光包括：过滤所述参考光和所述等离子体光的至少具有横电波模式的部分，并且接收所述参考光和所述等离子体光的剩余部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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