三星电子株式会社沈贤洙获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置以及半导体芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111211118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910943436.7,技术领域涉及:H10D89/60;该发明授权半导体装置以及半导体芯片是由沈贤洙;金润圣;金尹熙;裴秉文;尹俊浩设计研发完成,并于2019-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及半导体芯片在说明书摘要公布了:本申请提供一种半导体装置及半导体芯片。半导体装置包含半导体衬底,半导体衬底具有定义于其中的划线。多个半导体芯片形成于半导体衬底的上表面上。至少一个导电结构在其划线内布置在半导体衬底的上表面上。圆角布置在导电结构的至少一个侧表面上。圆角被配置成引发经由导电结构的中心部分沿划线扩散的切割线。
本发明授权半导体装置以及半导体芯片在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,包括: 半导体衬底,具有定义于其中的划线; 多个半导体芯片,形成于所述半导体衬底的上表面上; 至少一个导电结构,在所述半导体衬底的所述划线内布置在所述半导体衬底的上表面上;以及 圆角,布置在所述导电结构的至少一个侧表面上,所述圆角被配置成引发经由所述导电结构的中心部分沿所述划线扩散的切割线, 其中所述圆角包括绝缘材料。
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