陕西三海测试技术开发有限责任公司王煜获国家专利权
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龙图腾网获悉陕西三海测试技术开发有限责任公司申请的专利一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111337812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010310992.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路是由王煜设计研发完成，并于2020-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路，其测试方法包括以下步骤：S101，通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接；S102，通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的基本功能正常；S103，测试Rdson，选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；S104，将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态；S105，将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行Rdson参数测试；本发明还相应的公开了一种MOSFET晶圆临近颗粒测试电路，能够提高对MOSFET晶圆的Rdson参数的测量精度，有效降低了测试误差。
本发明授权一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法，用于测试MOSFET晶圆的导通电阻Rdson测试参数，其测试方法包括以下步骤： S101：通过电阻将MOSFET晶圆的漏极加载端和漏极测量端连接； S102：通过测试VTH小电流参数判断N个被测MOSFET颗粒的功能正常； S103：选择功能正常且距离被测颗粒最近的颗粒作为辅助颗粒；若被测颗粒最近的颗粒进行小电流参数测试为不正常颗粒，则选择次近的颗粒作为辅助颗粒； S104：将辅助颗粒的栅极驱动为常通状态； S105：将共漏极的测量端连接至辅助颗粒的源极，然后进行参数导通电阻Rdson测试； 所述N个被测MOSFET颗粒的数量与测试工位的电路臂数量保持一致，进行多工位并行测试。
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