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龙图腾网获悉苏州多感科技有限公司申请的专利芯片模组及其形成方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111477646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010471797.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权芯片模组及其形成方法、电子设备是由刘路路;沈志杰;崔中秋;王威;姜迪;王腾设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片模组及其形成方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种芯片模组及其形成方法以及一种电子设备，所述芯片模组的形成方法包括：提供光学传感芯片，所述光学传感芯片具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面内形成有焊盘和传感区域；刻蚀所述光学传感芯片的第二表面，在所述光学传感芯片内形成与所述传感区域对应的若干光通孔，用于向所述传感区域传导光信号；在所述光通孔内填充透光层；在所述第二表面的同侧形成导电结构，所述导电结构连接至所述焊盘；在所述透光层上方形成光学结构。上述方法有助于降低芯片模组厚度。

本发明授权芯片模组及其形成方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片模组的形成方法，其特征在于，包括： 提供包括半导体衬底的光学传感芯片，所述光学传感芯片具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面内形成有焊盘和传感区域； 刻蚀所述光学传感芯片的第二表面，在所述光学传感芯片内形成贯穿所述光学传感芯片部分厚度的，以及与所述传感区域对应的若干光通孔，用于向所述传感区域传导光信号，其中，所述光通孔底部的所述半导体衬底的厚度范围为10μm-50μm，以及相邻所述光通孔之间的间距范围大于所述光通孔底部的所述半导体衬底的厚度的两倍； 在所述光通孔内填充透光层； 在所述第二表面的同侧形成导电结构，包括：刻蚀所述光学传感芯片的第二表面，形成沟槽，所述沟槽位于所述光学传感芯片的边缘且与所述焊盘的位置对应，所述沟槽包括第一沟槽和位于所述第一沟槽上方且与所述第一沟槽连通的第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度，所述第一沟槽的底部暴露出所述焊盘；形成覆盖所述第一沟槽侧壁及所述第一沟槽和第二沟槽连接处台阶表面的绝缘层，所述绝缘层暴露出所述焊盘的表面；形成连接所述焊盘的电连接层，所述电连接层覆盖所述第一沟槽内壁的焊盘表面以及所述绝缘层表面； 在所述透光层上方形成光学结构； 在所述光学传感芯片的第二表面上，形成围绕所述光学结构设置的保护结构，所述保护结构顶部高于所述光学结构顶部。

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